[发明专利]测试气缸、半导体设备及其活塞运行速度的监测方法在审

专利信息
申请号: 202211053111.X 申请日: 2022-08-31
公开(公告)号: CN115419629A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 苏飞 申请(专利权)人: 上海积塔半导体有限公司
主分类号: F15B15/14 分类号: F15B15/14;F15B15/20;F15B19/00
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 杜娟娟
地址: 200135 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 测试 气缸 半导体设备 及其 活塞 运行 速度 监测 方法
【权利要求书】:

1.一种测试气缸,其特征在于,所述测试气缸包括:

气缸本体;

活塞,位于所述气缸本体内;

滑动变阻器,包括高阻滑轨、低阻滑轨及导电滑块;所述高阻滑轨及所述低阻滑轨平行间隔排布于所述气缸本体的外壁上;所述导电滑块横跨所述高阻滑轨及所述低阻滑轨,与所述高阻滑轨及所述低阻滑轨均相接触;所述导电滑块随所述活塞一起运动;

供电电源,与所述高阻滑轨相对的两端相连接;

电压检测装置,与所述高阻滑轨的一端及所述低阻滑轨的一端均相连接。

2.根据权利要求1所述的测试气缸,其特征在于,所述测试气缸还包括磁环,所述磁环套于所述活塞的外围;所述导电滑块包括磁吸式滑块。

3.根据权利要求2所述的测试气缸,其特征在于,所述测试气缸还包括多个磁感应侦测器,多个所述磁感应侦测器间隔排布于所述气缸本体的外壁上。

4.根据权利要求1所述的测试气缸,其特征在于,所述电压检测装置与所述高阻滑轨及所述低阻滑轨位于所述导电滑块同一侧的一端均相连接。

5.一种测试气缸中活塞运行速度的监测方法,其特征在于,所述测试气缸为如权利要求1至4中任一项所述的测试气缸,所述监测方法包括:

所述活塞滑动时,使用所述电压检测装置实时检测,以得到检测电压;

基于所述检测电压、所述供电电源的供电电压及所述高阻滑轨的长度得到所述活塞的实时运行速度。

6.根据权利要求5所述的测试气缸中活塞运行速度的监测方法,其特征在于,所述基于所述检测电压、所述供电电源的供电电压及所述高阻滑轨的长度得到所述活塞的实时运行速度,包括:

基于所述检测电压、所述供电电压及所述高阻滑轨的长度得到所述导电滑块在任意两时间点之间滑动的滑动距离;

基于所述导电滑块滑动所述滑动距离的时间间隔及所述滑动距离得到所述导电滑块的实时滑动速度,所述导电滑块的实时滑动速度即为所述活塞的实时运行速度。

7.根据权利要求6所述的测试气缸中活塞运行速度的监测方法,其特征在于,所述高阻滑轨及所述低阻滑轨均包括相对的第一端及第二端,所述高阻滑轨的第一端与所述低阻滑轨的第一端位于所述导电滑块的同一侧;所述电压检测装置与所述高阻滑轨的第一端及所述低阻滑轨的第一端均相连接;所述基于所述检测电压、所述供电电压及所述高阻滑轨的长度得到所述导电滑块在任意两时间点之间滑动的滑动距离,包括:

基于如下公式获取时间点t1时刻,所述导电滑块至所述高阻滑轨的第一端的距离L1:

L1=(V1/V)×L

其中,V1为时间点t1时刻的检测电压;V为所述供电电压;L为所述高阻滑轨的长度;

基于如下公式获取时间点t2时刻,所述导电滑块至所述高阻滑轨的第一端的距离L2:

L2=(V2/V)×L

其中,V2为时间点t2时刻的检测电压;V为所述供电电压;L为所述高阻滑轨的长度;t2大于t1;

基于如下公式得到所述导电滑块在任意两时间点之间滑动的滑动距离ΔL:

ΔL=L2-L1。

8.根据权利要求7所述的测试气缸中活塞运行速度的监测方法,其特征在于,所述基于所述导电滑块滑动所述滑动距离的时间间隔及所述滑动距离得到所述导电滑块的实时滑动速度,包括:

基于如下公式得到所述导电滑块的实时滑动速度V:

V=ΔL/ΔT

其中,ΔT=t2-t1。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的测试气缸中活塞运行速度的监测方法,其特征在于,得到所述活塞的实时运行速度之后,还包括:

将所述实时运行速度与目标运行速度进行比对,并在所述实时运行速度与所述目标运行速度存在偏差时进行报警。

10.一种半导体设备,其特征在于,所述半导体设备包括:

如权利要求1至4中任一项所述的测试气缸;

处理装置,与所述电压检测装置相连接,用于实时获取所述活塞运动过程中的检测电压,基于所述检测电压、所述供电电源的供电电压及所述高阻滑轨的长度得到所述活塞的实时运行速度,并将所述实时运行速度与目标运行速度进行比对,在所述实时运行速度与所述目标运行速度存在偏差时生成报警信息;

报警装置,与所述处理装置相连接,用于在接收到报警信息时报警。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海积塔半导体有限公司,未经上海积塔半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211053111.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top