[发明专利]一种晶圆背面金属层异常处理方法在审

申请号：	202211052788.1	申请日：	2022-08-31
公开（公告）号：	CN115394645A	公开（公告）日：	2022-11-25
发明（设计）人：	王尧林;朱焱均;燕强;刘康华;赵大国;李雨庭	申请（专利权）人：	乂易半导体科技（无锡）有限公司
主分类号：	H01L21/3213	分类号：	H01L21/3213;H01L21/66
代理公司：	北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471	代理人：	刘静荣
地址：	214000 江苏省无锡市新吴区新华***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种背面金属异常处理方法
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【说明书】：

本发明涉及一种晶圆背面金属层异常处理方法，本发明的方法对晶圆蒸镀良率进行检测分析，再对晶圆背面刻蚀处理，处理完成后进行二次蒸镀，从而达到产品工艺需求，本发明的方法可在晶圆背面蒸镀发生异常时，用湿法化学手段对晶圆背面金属层进行刻蚀去除，防止了现有技术中晶圆背面异常处理不当，造成整片晶圆报废的情况，从而节约了生产成本，提高了产品良率。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面金属层异常处理方法。

背景技术

薄片背面金属化是物理气相淀积的一种，它是在减薄后的晶圆背面用物理的方法，使金属材料淀积在被镀晶圆上的薄膜制备技术。背面金属化的制作可以降低器件的热阻、工作时散热和冷却；个别功率器件会在背面引出电极，使管芯电极具有良好的欧姆接触特性，焊接可靠，可提高产品可靠性。

现有技术中，当蒸镀时发生卡坩埚、设备宕机或者是蒸镀金属颗粒飞溅造成的背面颗粒等异常时，通常情况下会调整坩埚设备转动至预定位置后继续制程，若无法持续制程蒸镀，晶圆可能会报废；对于宕机造成的异常，由于蒸镀层的差异无法再次补蒸，晶圆也可能会报废；对于靶材蒸镀时飞溅导致金属层产生的金属颗粒，通常使用刀片将背面金属层上金属颗粒剔除，以上处理方法使得部分晶圆无法达到产品性能需求，晶圆无法再次蒸镀，导致报废。

鉴于以上原因，特提出本发明。

发明内容

为了解决现有技术中的补蒸工艺晶圆报废率较高，产品良率低等问题，本发明提供了一种晶圆背面金属层异常处理方法，本发明的方法防止了现有技术中晶圆背面处理不当，造成的晶圆报废，从而节约了生产成本，提高了产品的良率。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种晶圆背面金属层异常处理方法，所述的方法包括如下步骤：

(1)判断晶圆背面蒸镀是否存在异常，根据判断结果，判断是否进行晶圆背面金属颗粒检查；

(2)根据晶圆背面金属颗粒检查结果，判断晶圆是否直接进行晶圆正面贴膜，判断贴膜良率是否达标；

(3)将贴膜良率达标的晶圆背面进行晶圆背面刻蚀，再判断刻蚀是否达标，对刻蚀达标的晶圆进行背面减薄处理，背面减薄处理达标后的晶圆进入后续正常工艺流程。

进一步的，步骤(1)中若出现设备宕机则判断晶圆背面蒸镀出现异常，则将异常的晶圆进行晶圆背面金属颗粒检查。

进一步的，将背面蒸镀正常的晶圆进行晶圆背面蒸镀良率，若晶圆背面蒸镀良率正常，则产品过站点，若晶圆背面蒸镀良率异常，则进行晶圆背面金属颗粒检查。

进一步的，步骤(2)若晶圆背面存在金属颗粒，则将金属颗粒剔除后进行晶圆正面贴膜处理。

进一步的，步骤(3)中刻蚀中的刻蚀液采用硝酸、氢氟酸和水的混合溶液。