[发明专利]一种晶圆背面金属层异常处理方法在审
| 申请号： | 202211052788.1 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115394645A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王尧林;朱焱均;燕强;刘康华;赵大国;李雨庭 | 申请（专利权）人： | 乂易半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 刘静荣 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区新华*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 金属 异常 处理 方法 | ||
1.一种晶圆背面金属层异常处理方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：
(1)判断晶圆背面蒸镀是否存在异常，根据判断结果，判断是否进行晶圆背面金属颗粒检查；
(2)根据晶圆背面金属颗粒检查结果，判断晶圆是否直接进行晶圆正面贴膜，判断贴膜良率是否达标；
(3)将贴膜良率达标的晶圆背面进行晶圆背面刻蚀，再判断刻蚀是否达标，对刻蚀达标的晶圆进行背面减薄处理，背面减薄处理达标后的晶圆进入后续正常工艺流程。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层异常处理方法，其特征在于，步骤(1)中若出现设备宕机则判断晶圆背面蒸镀出现异常，则将异常的晶圆进行晶圆背面金属颗粒检查。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆背面金属层异常处理方法，其特征在于，将背面蒸镀正常的晶圆进行晶圆背面蒸镀良率检测，若晶圆背面蒸镀良率正常，则产品过站点，若晶圆背面蒸镀良率异常，则进行晶圆背面金属颗粒检查。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层异常处理方法，其特征在于，步骤(2)若晶圆背面存在金属颗粒，则将金属颗粒剔除后进行晶圆正面贴膜处理。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层异常处理方法，其特征在于，步骤(3)中刻蚀中的刻蚀液采用硝酸、氢氟酸和水的混合溶液。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆背面金属层异常处理方法，其特征在于，所述的刻蚀液为Ploy689和水以质量比0.8-1.2:1混合而成。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层异常处理方法，其特征在于，步骤(3)刻蚀不达标的晶圆再返回刻蚀处理。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆背面金属层异常处理方法，其特征在于，步骤(3)中背面减薄良率不达标的晶圆再返回背面减薄处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
