[发明专利]气体压力探测装置及沉积设备

说明书

本申请实施例是关于气体压力探测装置及沉积设备。根据一实施例的气体压力探测装置包括主体、采样管路及第一端口。采样管路设置于主体内且经配置以收集待被探测的反应区域内的气体。第一端口设置于采样管路且经配置以与第一传感器连接以测量气体的压力。本申请实施例提供的气体压力探测装置不仅能够探测沉积设备中的反应区域内的气体压力，还避免影响反应区域内的工艺处理对象的产品质量。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，且更特定来说，涉及气体压力探测装置及半导体相关沉积设备。

背景技术

半导体领域中，薄膜沉积是半导体制程中的一个非常重要的工艺步骤。薄膜沉积是在半导体材料上镀膜，此膜可包括所需的各种类型的材料，例如，二氧化硅、多晶硅及铜等。半导体设备是半导体生产流程的基础，半导体设备先进程度直接决定了半导体生产的质量和效率。半导体设备中的薄膜沉积设备是半导体制造工艺中的三大核心设备之一，其制造技术难度大，门槛极高。沉积设备可包括，例如，原子层沉积设备、等离子体增强原子层沉积设备、等离子体增强化学气相沉积设备，通过这些设备沉积实现所需薄膜层的生长，在薄膜生长过程中需要精确控制相关工艺参数，在众多工艺参数中，气压是常用的工艺参数之一。

原子层沉积(Atomic Layer Deposition，简称为ALD)工艺是通过腔体内交替引入气相反应物，通过交替的表面饱和反应，进行自限制薄膜沉积生长的工艺。原子层沉积具有结合强度高、膜层均匀性好、成分均匀性好等优点，现已被广泛应用到微电子系统、存储器介电层及光学薄膜等诸多领域。

等离子体增强原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，简称为PEALD)工艺扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围，提高了薄膜沉积速率，降低了沉积温度，因而广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。PEALD工艺是ALD工艺的良好补充。

等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称为PECVD)工艺借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长。

然而，由于ALD、PEALD和PECVD工艺均需要引入气体至反应设备，因此需要对反应设备的气体压力进行探测，以正确地控制反应工艺。

因此，业界需要一种能够探测反应设备内的气体压力的装置。

发明内容

本申请实施例的目的之一在于提供一种气体压力探测装置及沉积设备，其不仅能够探测反应设备内的气体压力，还避免影响沉积设备中的反应设备内的工艺处理对象的产品质量。并且，通过单独设置的压力探测装置，将相关探测部件与腔室主体分开，便于压力探测装置的更换，通过备件更换的方式，能够迅速完成维护或维修。

根据本申请的一实施例提供的一种气体压力探测装置，其包括：主体；采样管路，其设置于所述主体内且经配置以收集待被探测的反应区域内的气体；及第一端口，其设置于所述采样管路，所述第一端口经配置以与第一传感器连接以测量气体的压力。

在本申请的一些实施例中，主体经配置以可拆卸的方式连接至待被探测的反应区域所在的设备。

在本申请的一些实施例中，气体压力探测装置进一步包括设置于采样管路的第二端口及经配置以连接至第二端口的吹扫机构，其中第二端口设置于采样管路的尾部。

在本申请的一些实施例中，吹扫机构包括经配置以提供吹扫气体的吹扫元件。

在本申请的一些实施例中，吹扫机构还包括阀元件，其经配置以控制吹扫气体的流量。

在本申请的一些实施例中，吹扫气体为非活性气体。

在本申请的一些实施例中，吹扫气体的佩克莱数至少为1。