[发明专利]一种金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻工艺

权利要求书

1.一种金属氧化物蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属氧化物蚀刻液组合物主要包括单端聚醚基聚硅氧烷、有机酸、无机酸盐、唑类化合物、醇类化合物、乙醇胺和纯水。

2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物蚀刻液组合物，其特征在于，所述单端聚醚基聚硅氧烷是由单端氨基聚硅氧烷和酰化聚乙二醇单甲醚反应而成。

3.一种金属氧化物蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，主要包括以下制备步骤：

（1）将单端含氢聚硅氧烷、对氨基苯乙烯和正己烷按质量比1：1：5~1：1：8混合均匀，再加入单端含氢聚硅氧烷质量0.03~0.05倍的氯铂酸，在70~80℃，500~800r/min搅拌回流4~6h，在20~30℃，1~2kPa静置3~4h，制得单端氨基聚硅氧烷；

（2）将单端氨基聚硅氧烷、酰化聚乙二醇单甲醚、三乙胺、二氯甲烷按质量比1：1：0.3：10~1：2：0.5：14混合均匀，在0~5℃，300~500r/min搅拌3~4h，在20~30℃，1~2kPa静置6~8h，制得单端聚醚基聚硅氧烷；

（3）将单端聚醚基聚硅氧烷、有机酸、无机酸盐、唑类化合物、醇类化合物、乙醇胺、水按质量比0.5：1：0.1：0.1：1：1：5~1.5：4：0.5：0.1：4：4：15混合均匀，用质量分数3~5%的盐酸溶液和质量分数3~5%的氢氧化钾溶液将pH调节至3~4，制得金属氧化物蚀刻液组合物。

4.根据权利要求3所述的一种金属氧化物蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述单端含氢聚硅氧烷的制备方法为：将五甲基二硅氧烷和八甲基环四硅氧烷按质量比1：1.2~1：1.5混合均匀，再加入五甲基二硅氧烷质量0.1~0.2倍的质量分数90~98%倍的浓硫酸，在80~90℃，800~1000r/min搅拌反应2~3h，冷却至室温后加入氢氧化钙将pH调节值6~7，过滤取液体，再加入五甲基二硅氧烷质量0.2~0.4倍的无水硫酸镁，以500~700r/min搅拌15~20min，过滤取液体，在40~50℃，1~2kPa静置8~10h，制备而成。

5.根据权利要求3所述的一种金属氧化物蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述酰化聚乙二醇单甲醚的制备方法为：将丁二酸酐和聚乙二醇单甲醚按质量比1：3~1：4混合均匀，在70~80℃，3000~4000r/min搅拌3~4h，在20~30℃，1~2kPa静置3~4h，制得羧化聚乙二醇单甲醚；将羧化聚乙二醇单甲醚、氯化亚砜和四氢呋喃按质量比15：50：1~40：150：1混合均匀，在40~50℃，300~500r/min搅拌反应50~60min，再升温至60~70℃继续搅拌反应2~3h，在20~30℃，1~2kPa静置3~4h，制备而成。

6.根据权利要求3所述的一种金属氧化物蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述有机酸为丙氨酸、谷氨酸、甘氨酸、乙醇酸、琥珀酸、胱氨酸、天冬酰胺、苹果酸、乙二胺四乙酸、丙二酸、亚胺二乙酸、乳酸和苯酚磺酸中的几种混合。

7.根据权利要求3所述的一种金属氧化物蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述无机酸盐为氢卤酸、高卤酸、硝酸钾、乙酸钾、硫酸氢钾、磷酸二氢钾、硫酸钾、磷酸氢二钾和磷酸钾中的一种或几种混合。

8.根据权利要求3所述的一种金属氧化物蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述唑类化合物为1,2,4-三氮唑、3-氨基-1,2,4-三唑和胺基四唑中的一种或几种混合。

9.根据权利要求3所述的一种金属氧化物蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述醇类化合物为乙二醇、二甘醇、1,2-丙二醇和1,3-丙二醇中的一种或几种混合。

10.一种蚀刻工艺，其特征在于，主要包括以下工艺步骤：

（a）将其表面含铟的金属氧化物或含锌和铟的金属氧化物的层的基板表面洗净；

（b）使用如权利要求1所述的金属氧化物蚀刻液组合物，在常温下以浸泡方式进行蚀刻该金属层。