[发明专利]一种有机中介层封装结构及制作方法

说明书

本发明提供一种有机中介层封装结构及制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，于半导体衬底上形成重新布线层，于重新布线层上形成与重新布线层电连接的导电柱，形成覆盖重新布线层及导电柱的有机介质层，于有机介质层及导电柱上形成与导电柱电连接的焊料凸点，提供支撑基底，通过粘合层将焊料凸点与支撑基底粘合，去除半导体衬底以显露重新布线层，形成与重新布线层电连接的键合焊盘，提供切割承载体，将切割承载体与键合焊盘连接，并基于粘合层去除支撑基底。本发明通过于有机介质层中设置导电柱实现上下层的互连，无需硅通孔等复杂的工艺，制程良率高，并且能够进行高密度多晶片的连结封装，能够用于2.5D及3D扇出型封装结构。

技术领域

本发明属于半导体封装制造领域，涉及一种有机中介层封装结构及制作方法。

背景技术

随着电子信息技术的快速发展以及消费者需求的不断提升，电子产品不断趋向小体积、多功能的发展，为了在更小的封装面积下容纳更多的功能芯片，各种新型的封装方式应运而生，2.5D封装就是其中一种。2.5D封装是一种先进的异构芯片封装，可以实现多个芯片的高密度线路连接，在2.5D封装中，芯片并排放置在中介层（Interposer）顶部，通过芯片的微凸块（uBump）和中介层中的布线实现互连，中介层通过硅通孔（TSV）实现上下层的互连，再通过锡球（C4）焊接至传统2D的封装基板上。中介层是多芯片模块传递电信号的管道，可以实现芯片间的互连，也可以实现与封装基板的互连，充当多颗裸片和电路板之间的桥梁。传统的中介层是由硅制成的硅基板，通过硅通孔制程进行信号互联，成本较高并且制程中良率难以控制。

因此，如何提供一种有机中介层封装结构及制作方法以解决传统的硅中介层通过硅通孔进行信号互联成本较高，且制程中良率难以控制等问题成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种有机中介层封装结构及制作方法，用于解决现有技术中硅中介层通过硅通孔进行信号互联成本较高且制程中良率难以控制等问题。

为实现上述目的，本发明提供一种有机中介层封装结构的制作方法，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上形成重新布线层，所述重新布线层包括层叠的金属布线层与无机介质层；

于所述重新布线层上形成导电柱，所述导电柱与所述重新布线层电性连接；

于所述重新布线层上形成有机介质层，所述有机介质层覆盖所述重新布线层及所述导电柱，并减薄所述有机介质层及所述导电柱，减薄后的所述有机介质层与减薄后的所述导电柱顶面齐平；

于减薄后的所述有机介质层及所述导电柱上形成焊料凸点，所述焊料凸点与所述导电柱电连接；

提供支撑基底，通过粘合层将所述焊料凸点与所述支撑基底粘合；

去除所述半导体衬底，以显露所述重新布线层远离所述有机介质层那一面的所述金属布线层，并于显露的所述金属布线层表面形成键合焊盘，所述键合焊盘与所述金属布线层电连接；

提供切割承载体，将所述切割承载体与所述键合焊盘连接，并基于所述粘合层去除所述支撑基底。

可选地，去除所述支撑基底后，还包括切割去除所述支撑基底后的结构以得到多个预封装结构。

可选地，还包括以下步骤：

将所述预封装结构自所述切割承载体上取下；

提供至少一功能晶片，将所述功能晶片与所述键合焊盘键合以使所述功能晶片与所述键合焊盘电连接；

于所述功能晶片及所述键合焊盘的连接间隙处形成填充层；

于所述键合焊盘上形成封装层，所述封装层覆盖所述功能晶片。

可选地，所述焊料凸点与所述支撑基底粘合前，还包括于所述焊料凸点表面形成保护层的步骤，所述保护层覆盖所述焊料凸点。

可选地，所述于减薄后的所述有机介质层及所述导电柱上形成焊料凸点包括以下步骤：