[发明专利]一种有机中介层封装结构及制作方法

权利要求书

1.一种有机中介层封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上形成重新布线层，所述重新布线层包括层叠的金属布线层与无机介质层；

于所述重新布线层上形成导电柱，所述导电柱与所述重新布线层电性连接；

于所述重新布线层上形成有机介质层，所述有机介质层覆盖所述重新布线层及所述导电柱，并减薄所述有机介质层及所述导电柱，减薄后的所述有机介质层与减薄后的所述导电柱顶面齐平；

于减薄后的所述有机介质层及所述导电柱上形成焊料凸点，所述焊料凸点与所述导电柱电连接；

提供支撑基底，通过粘合层将所述焊料凸点与所述支撑基底粘合；

去除所述半导体衬底，以显露所述重新布线层远离所述有机介质层那一面的所述金属布线层，并于显露的所述金属布线层表面形成键合焊盘，所述键合焊盘与所述金属布线层电连接；

提供切割承载体，将所述切割承载体与所述键合焊盘连接，并基于所述粘合层去除所述支撑基底。

2.根据权利要求1所述的有机中介层封装结构的制作方法，其特征在于：去除所述支撑基底后，还包括切割去除所述支撑基底后的结构以得到多个预封装结构。

3.根据权利要求2所述的有机中介层封装结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：

将所述预封装结构自所述切割承载体上取下；

提供至少一功能晶片，将所述功能晶片与所述键合焊盘键合以使所述功能晶片与所述键合焊盘电连接；

于所述功能晶片及所述键合焊盘的连接间隙处形成填充层；

于所述键合焊盘上形成封装层，所述封装层覆盖所述功能晶片。

4.根据权利要求1所述的有机中介层封装结构的制作方法，其特征在于：所述焊料凸点与所述支撑基底粘合前，还包括于所述焊料凸点表面形成保护层的步骤，所述保护层覆盖所述焊料凸点。

5.根据权利要求1所述的有机中介层封装结构的制作方法，其特征在于，所述于减薄后的所述有机介质层及所述导电柱上形成焊料凸点包括以下步骤：

于减薄后的所述有机介质层表面形成聚合物层，并于所述聚合物层内形成开口，所述开口暴露所述导电柱；

于所述导电柱上表面形成凸块下金属层；

于所述凸块下金属层表面形成所述焊料凸点，所述焊料凸点的上表面高于所述聚合物层。

6.根据权利要求1所述的有机中介层封装结构的制作方法，其特征在于：所述重新布线层包括至少一所述金属布线层及至少一所述无机介质层。

7.一种有机中介层封装结构，其特征在于，包括：

有机介质层，所述有机介质层包括相对设置的上表面与下表面；

导电柱，贯穿所述有机介质层；

重新布线层，位于所述有机介质层的上表面，所述重新布线层包括层叠的金属布线层与无机介质层，其中，所述金属布线层与所述导电柱连接；

键合焊盘，位于所述重新布线层上方，所述键合焊盘与所述重新布线层电连接；

凸块下金属层，位于所述有机介质层的下表面，所述凸块下金属层与所述导电柱电连接；

焊料凸点，位于所述凸块下金属层下方，所述焊料凸点与所述凸块下金属层电连接。

8.根据权利要求7所述的有机中介层封装结构，其特征在于，还包括：

至少一功能晶片，所述功能晶片位于所述键合焊盘上方并与所述键合焊盘电连接；

填充层，位于所述功能晶片及所述键合焊盘的连接间隙处；

封装层，位于所述键合焊盘上，所述封装层覆盖所述功能晶片。

9.根据权利要求7所述的有机中介层封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括至少一所述金属布线层与至少一所述无机介质层。

10.根据权利要求7所述的有机中介层封装结构，其特征在于：所述导电柱包括电镀铜。