[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
| 申请号: | 202211001139.9 | 申请日: | 2022-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN115347024A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
| 发明(设计)人: | 郝艳军;屈财玉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 宋海斌;胡娟 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
基板;
第一电极,位于所述基板一侧,包括走线区和电极区;
第一界定结构,至少部分设置于所述走线区远离所述基板的一侧,具有多个用于露出所述电极区的第一开口;
隔离结构,位于所述第一界定结构远离所述基板的一侧;
第二界定结构,位于所述隔离结构和所述第一界定结构均远离所述基板的一侧,具有与所述第一开口连通的第二开口;
所述隔离结构的一端沿第一方向凸出于所述第二界定结构的边缘并位于所述第二开口内;
发光器件,所述发光器件包括发光层和发光功能层;
所述发光层与所述第一电极的电极区在所述基板上的正投影存在交叠;
所述发光功能层覆盖所述第一开口的侧壁和所述第二开口的侧壁;
所述发光功能层在所述隔离结构处存在间隔。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,沿所述第一方向,所述隔离结构的一端凸出于所述第一界定结构的边缘;
在所述基板上,所述第二界定结构的正投影落入于所述第一界定结构的正投影范围内,所述隔离结构的一端的边缘的正投影落入于所述第一开口的边缘的正投影范围内。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一界定结构位于所述隔离结构和所述走线区之间的第一部分的厚度不小于50纳米且不大于150纳米。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述隔离结构包括:沿远离所述第一界定结构的方向层叠设置的第一膜结构和第二膜结构;
所述第二界定结构覆盖于部分所述第二膜结构远离所述第一膜结构的一侧;
沿所述第一方向,所述第二膜结构的一端凸出于所述第二界定结构的边缘和所述第一膜结构的边缘。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,沿所述第一方向,所述第一膜结构的一端凸出于所述第一界定结构的边缘并位于所述第二开口内,在所述基板上,所述第一膜结构的一端的边缘的正投影,落入于所述第一开口的正投影内。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述隔离结构还包括:位于所述第一界定结构和所述第一膜结构之间的第三膜结构;
沿所述第一方向,所述第三膜结构的一端凸出于所述第一膜结构的边缘。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,沿所述第一方向,所述第三膜结构的一端凸出于所述第一界定结构的边缘并位于所述第二开口内。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第三膜结构和所述第二膜结构的厚度均不小于10纳米且不大于40纳米,所述第一膜结构的厚度不小于20纳米且不大于60纳米。
9.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在垂直所述基板的方向上,所述第二膜结构与所述电极区之间的距离不小于50纳米且不大于150纳米。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在与所述基板平行的截面上,每一所述隔离结构为封闭的环状结构或有缺口的环状结构。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:如权利要求1-10中任一项所述的显示基板。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求11所述的显示面板。
13.一种用于制备权利要求1-10中任一项所述的显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基板上依次制作第一电极、覆盖所述第一电极的第一界定层;所述第一电极包括电极区和走线区;
在所述第一界定层的一侧制作隔离结构;
在所述第一界定层和所述隔离结构均远离所述基板的一侧制作第二界定层;
对所述第一界定层和所述第二界定层进行图案化处理,得到具有第一开口的第一界定结构、以及具有与所述第一开口连通的第二开口的第二界定结构,使得至少部分所述第一界定结构位于所述隔离结构和所述走线区之间,所述第一开口露出所述电极区,使得所述第二界定结构覆盖部分所述隔离结构,所述隔离结构的一端沿第一方向凸出于所述第二界定结构的边缘并位于所述第二开口内;
在所述电极区、所述隔离结构和所述第二界定结构均远离所述基板的一侧制作包括发光层和发光功能层的发光器件,使得所述发光层与所述第一电极的电极区在所述基板上的正投影存在交叠,所述发光功能层覆盖所述第一开口的侧壁和所述第二开口的侧壁,所述发光功能层在所述隔离结构处存在间隔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211001139.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





