[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：

至少一个存储块，所述至少一个存储块中的每一个存储块包括多个单元串，所述多个单元串中的每一个单元串包括在垂直方向上串联连接在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择晶体管；以及

控制电路，所述控制电路被配置为：在对所述多个存储单元中的目标存储单元的编程操作期间，基于编程循环序数与参考序数的比较来调整施加到耦接至与所述多个单元串连接的选定字线的通道晶体管的栅极的高电压的电平，使得在多个编程循环的至少一部分编程循环中所述高电压与施加到所述通道晶体管的漏极的编程电压之间的电压差不同于在所述多个编程循环的至少另一部分编程循环中所述高电压与施加到所述通道晶体管的漏极的编程电压之间的电压差，

其中，所述参考序数基于以下至少一者：所述目标存储单元的编程/擦除周期信息、所述目标存储单元的多个目标编程状态的数目或者所述非易失性存储装置的工作温度。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述控制电路进一步被配置为：

调整所述高电压的电平，使得在所述多个编程循环中的至少一个第一编程循环的编程执行间隔期间所述高电压和施加到所述通道晶体管的漏极的第一编程电压具有第一电压差，基于所述编程/擦除周期信息的所述至少一个第一编程循环的编程循环序数小于所述参考序数；

在所述至少一个第一编程循环的编程执行间隔期间通过所述通道晶体管向所述选定字线施加所述第一编程电压；

调整所述高电压的电平，使得在所述多个编程循环中的至少一个第二编程循环的编程执行间隔期间所述高电压和施加到所述通道晶体管的漏极的第二编程电压具有小于所述第一电压差的第二电压差，基于所述编程/擦除周期信息的所述至少一个第二编程循环的编程循环序数大于或等于所述参考序数；以及

在所述至少一个第二编程循环的编程执行间隔期间通过所述通道晶体管向所述选定字线施加所述第二编程电压。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其中，

所述至少一个第一编程循环包括多个第一编程循环；

每一个所述第一编程循环的编程执行间隔中的所述第一编程电压的电平逐步地增加；

所述至少一个第二编程循环包括多个第二编程循环；并且

每一个所述第二编程循环的编程执行间隔中的所述第二编程电压的电平逐步地增加。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，所述非易失性存储装置还包括：

电压发生器，所述电压发生器被配置为基于来自所述控制电路的控制信号来生成包括所述编程电压和所述高电压的字线电压；

地址译码器，所述地址译码器被配置为基于行地址向所述至少一个存储块提供所述字线电压；

温度传感器，所述温度传感器被配置为感测所述非易失性存储装置的所述工作温度并且向所述控制电路提供与所述工作温度相对应的温度信号，

其中，所述控制电路还被配置为基于命令、包括所述行地址的地址和所述温度信号来控制所述电压发生器和所述地址译码器。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，所述控制电路进一步被配置为：

将所述温度信号转换为温度代码，并且

控制所述电压发生器，使得响应于所述工作温度大于参考温度的所述高电压与所述编程电压之间的第一电压差，小于响应于所述工作温度等于或小于所述参考温度的所述高电压与所述编程电压之间的第二电压差。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述控制电路进一步被配置为基于所述多个目标编程状态的数目调整所述高电压的电平，使得在所述多个编程循环的一部分编程循环中所述高电压与所述编程电压之间的电压差不同于在所述多个编程循环的另一部分编程循环中所述高电压与所述编程电压之间的电压差。