[发明专利]集成电路结构及其制造方法

说明书

揭示了一种集成电路结构及其制造方法，集成电路结构包括栅极、第一导电线及一对第二导电线及第一馈通孔。栅极设置于集成电路结构的正面，且在介电层的第一侧上沿第一方向延伸。第一导电线及一对第二导电线设置于介电层的与第一侧相对的第二侧上及集成电路结构的与正面相对的背面上。在布局视图中，第一导电线插在一对第二导电线之间。第一馈通孔在不同于第一方向的第二方向上延伸穿过介电层。第一馈通孔将栅极耦合至第一导电线。

技术领域

本揭露是关于一种集成电路结构及其制造方法，特别是关于一种具有连接半导体结构背侧的元件至半导体结构正侧的元件的结构的集成电路结构及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业经历了快速增长。集成电路材料及设计的技术进步产生了一代又一代的集成电路。在一些方法中，考虑优化金属轨道配置以达到更高的面积利用率。

发明内容

根据本揭露的一实施例，提供一种集成电路结构，包括栅极、第一导电线及一对第二导电线及第一馈通孔。栅极设置于集成电路结构的正面，且在介电层的第一侧上沿第一方向延伸。第一导电线及一对第二导电线设置于介电层的与第一侧相对的第二侧上及集成电路结构的与正面相对的背面上。在布局视图中，第一导电线插在一对第二导电线之间。第一馈通孔在不同于第一方向的第二方向上延伸穿过介电层。第一馈通孔将栅极耦合至第一导电线。

根据本揭露的一实施例，提供一种集成电路结构，包括第一单元、配置于第一单元旁边的第二单元。第一单元包括集成电路结构的正面上的栅极及自集成电路结构的背面延伸至集成电路结构的正面以耦合至栅极的第一馈通孔。第二单元包括集成电路结构正面上的导电段、集成电路结构背面上第一层中的至少一第一导电线及第二馈通孔，第二馈通孔自集成电路结构的背面延伸至集成电路结构的正面以耦合于第一导电线与导电段之间。集成电路结构进一步包括集成电路结构背面上第二层中的第二导电线。第二导电线包括在第一方向上延伸以耦合至第一馈通孔的第一部分及在不同于第一方向的第二方向上延伸以耦合至第二馈通孔的第二部分。第二层比第一层更接近集成电路结构的正面。

根据本揭露的一实施例，提供一种集成电路结构的制造方法，包含：在集成电路结构的第一侧上形成牺牲层，其中主动半导体装置在集成电路结构的与第一侧相对的第二侧上；形成围绕牺牲层的第一介电层；在第一介电层上形成第二介电层，其中第二介电层具有小于牺牲层高度的厚度；形成自集成电路结构的第一侧延伸至第二侧的第一馈通孔，以耦合至主动半导体装置的导电段；在第二介电层上形成第一导电线；将第二介电层的厚度自第一厚度增加至第二厚度；及在第二介电层上形成第二导电线。

附图说明

本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准规范，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。

图1A是根据各种实施例的集成电路部分的平面图中布局图；

图1B是根据各种实施例的沿图1A中线A-A'截取的图1A中集成电路部分的横截面图；

图1C是根据各种实施例的沿图1A中线B-B'截取的图1A中集成电路部分的横截面图；

图1D是根据各种实施例的沿图1A中线C-C'截取的图1A中集成电路部分的横截面图；

图2A是根据各种实施例的集成电路部分的平面图中布局图；

图2B是根据各种实施例的沿图2A中线D-D'截取的图2A中集成电路部分的横截面图；

图2C是根据各种实施例的沿图2A中线E-E'截取的图2A中集成电路部分的横截面图；

图3A是根据各种实施例的集成电路部分的平面图中布局图；

图3B是根据各种实施例的沿图3A中线F-F'截取的图3A中集成电路部分的横截面图；