[发明专利]一种晶圆用覆膜装置及其方法在审
申请号: | 202210972191.2 | 申请日: | 2022-08-15 |
公开(公告)号: | CN115662917A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 谢亮春;邓攀;张小波 | 申请(专利权)人: | 深圳市新晶路电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/304 |
代理公司: | 宁波华拓同亿专利代理事务所(普通合伙) 33432 | 代理人: | 徐亚敏 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区福城街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆用覆膜 装置 及其 方法 | ||
本发明公开了一种晶圆用覆膜装置及其方法,具体涉及晶圆技术领域,其技术方案是:包括底座、支撑架和通孔,所述支撑架安装在底座的上端,所述通孔开设在底座的右端内壁,还包括:用于对晶圆压膜的按压组件,所述按压组件安装在支撑架上;用于对刀片横向调节的定位组件,所述定位组件安装在支撑架的上端;按压组件包括对按压辊轮移动的移动组件,本发明有益效果是:通过对晶圆上侧设置切膜组件,在切膜刀做圆周运动切割晶圆膜前,对晶圆边缘处采用滚珠进行再次压合,使晶圆膜压紧更方便切割,晶圆膜在切割后立马通过锯齿轮拉扯晶圆膜,使晶圆膜自动快速拉扯到收集盒内进行集中收集,提高取膜的效率和安全性。
技术领域
本发明涉及晶圆领域,具体涉及一种晶圆用覆膜装置及其方法。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆,晶圆切割保护膜主要用做高温环境I作表面处理遮蔽保护,电镀,电泳、超高温烤漆、粉末喷涂及晶片元件端电极使用等,晶圆切割保护膜具有优异的耐高温性,高粘着力、再撕离不残胶性和耐溶剂性等特性。
现有的晶圆在加工过程中,通常会在晶圆的背面贴附一层薄膜,但是晶圆膜在切割后,剩余的晶圆膜需要不断的手动取下来,存在一定的风险性,同时辊轮对晶圆和晶圆膜压合容易损坏。
因此,发明一种晶圆用覆膜装置及其方法很有必要。
发明内容
为此,本发明提供一种晶圆用覆膜装置及其方法,通过对晶圆上侧设置切膜组件,在切膜刀做圆周运动切割晶圆膜前,对晶圆边缘处采用滚珠进行再次压合,使晶圆膜压紧更方便切割,晶圆膜在切割后立马通过锯齿轮拉扯晶圆膜,使晶圆膜自动快速拉扯到收集盒内进行集中收集,提高取膜的效率和安全性;通过采用橡胶的按压辊轮,按压辊轮压合晶圆膜后,再通过按压轮对晶圆边缘处进行再次压合,使晶圆和晶圆膜贴合效果更好,减少气泡进入,以解决晶圆在加工过程中,通常会在晶圆的背面贴附一层薄膜,但是晶圆膜在切割后,剩余的晶圆膜需要不断的手动取下来,存在一定的风险性,同时辊轮对晶圆和晶圆膜压合容易损坏的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种晶圆用覆膜装置,包括底座、支撑架和通孔,所述支撑架安装在底座的上端,所述通孔开设在底座的右端内壁,还包括:
用于对晶圆压膜的按压组件,所述按压组件安装在支撑架上;
用于对刀片横向调节的定位组件,所述定位组件安装在支撑架的上端;
按压组件包括对按压辊轮移动的移动组件,所述移动组件安装在按压组件上;
用于对晶圆膜切割的切膜组件,所述切膜组件安装在支撑架的上端。
优选的,所述按压组件包括电机二、导杆一和丝杆一,所述丝杆一转动安装在支撑架下端内侧,所述电机二安装在支撑架的左端,所述电机二输出端连接丝杆一,所述导杆一安装在支撑架下端内侧。
优选的,所述导杆一外壁滑动安装滑块,所述滑块上端安装电机三,所述电机三输出端安装转杆,所述转杆的侧端安装支撑杆二,所述支撑杆二的下端转动安装有按压轮。
优选的,所述移动组件包括支撑块二和电机五,所述支撑块二内侧螺纹连接丝杆一,所述支撑块二的上端安装电机五,所述支撑块二和滑块内侧均转动安装有支撑轴,所述支撑轴内侧安装按压辊轮,所述支撑轴外壁安装有齿轮二,所述电机五输出端连接齿轮一,所述齿轮一下端啮合连接齿轮二。
优选的,所述定位组件包括电机四、丝杆二和导杆二,所述丝杆二转动安装在支撑架上端内侧,所述导杆二安装在支撑架上端内侧,所述电机四安装在支撑架的左上端,所述电机四输出端连接丝杆二,所述丝杆二上螺纹安装支撑座,所述支撑座滑动连接导杆二,所述支撑座上端安装液压杆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造