[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

基板；

布线层区域，设置于所述基板上；

层叠体，设置于所述布线层区域上，通过多个导电层和多个绝缘层在作为所述基板的厚度方向的第1方向上一层一层地交替层叠而成；及

柱状部，具有在所述第1方向上延伸的半导体主体和设置于所述半导体主体与所述多个导电层的各个导电层之间的存储部，将所述层叠体贯通而连接于所述布线层区域，

所述层叠体具有面对所述布线层区域的端部而作为所述第1方向的端部，

所述柱状部具有位于所述层叠体的所述端部的第1部分和位于比所述第1部分靠近所述基板的位置的第2部分，

与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第2部分的中心相对于所述第2方向上的所述第1部分的中心，在所述第2方向上偏离。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第2方向上的所述第2部分的宽度比所述第2方向上的所述第1部分的宽度大。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述柱状部面对所述布线层区域的部分，

在与所述层叠体的边界位置具备大径部，

在比所述大径部靠近所述基板的位置具备小径部。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

具备在所述第2方向上将所述层叠体分割为多个区域的绝缘部，

所述绝缘部具备在所述第1方向上将所述层叠体贯通而面对所述布线层区域的部分，

所述绝缘部具备位于所述层叠体的所述端部的第3部分和位于比所述第3部分靠近所述基板的位置的第4部分，

所述第2方向上的所述第4部分的宽度比所述第2方向上的所述第3部分的宽度大。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

具备在所述第2方向上将所述层叠体分割为多个区域的绝缘部，

所述绝缘部具备在所述第1方向上将所述层叠体贯通而面对所述布线层区域的部分，

所述绝缘部具有位于所述层叠体的所述端部的第3部分和位于比所述第3部分靠近所述基板的位置的第4部分，

与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第3部分的中心相对于所述第2方向上的所述第4部分的中心，在所述第2方向上偏离。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述柱状部配置于所述布线层区域的部分，

在与所述层叠体的边界位置具备大径部，

在所述大径部的外周部，具备所述半导体主体的连接部。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述柱状部配置于所述布线层区域的部分，

在与所述层叠体的边界位置重叠地具备最大径部和大径部。