[发明专利]半导体装置

说明书

公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。

本申请要求于2021年11月2日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0148967号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置，更具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

通常，半导体装置包括集成电路，集成电路包括例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。随着半导体装置的大小和设计规则逐渐降低，MOSFET的大小也正在按比例缩小。然而，随着MOSFET按比例缩小，半导体装置的操作特性可能劣化。因此，已经进行了各种研究，以开发在克服由半导体装置的高集成度引起的限制的同时制造具有提高的性能的半导体装置的方法。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠并且彼此间隔开的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕所述多个沟道层并且在跨过有源图案延伸的同时在第二方向上延伸，其中，第一栅电极和第二栅电极布置为与所述多个源极/漏极图案邻近，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠并且间隔开的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过沟道层彼此连接；以及第一栅电极至第三栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在跨过有源图案延伸的同时在第二方向上延伸，其中，第一栅电极至第三栅电极布置在所述多个源极/漏极图案之间，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，其中，第一侧壁和第二侧壁中的每个具有弯曲形状，弯曲形状朝向所述多个源极/漏极图案中的邻近的源极/漏极图案弯曲，其中，第一栅电极与第一侧壁邻近，其中，第二栅电极与第二侧壁邻近，其中，第三栅电极在第一栅电极与第二栅电极之间，并且其中，第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离比第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离小。