[发明专利]一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法

权利要求书

1.一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料，硒化铋片为辅助材料，生长时将所述生长原材料置于管式炉中心，辅助材料置于生长原材料上游，基底置于下游；

步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行加热，移动炉子加热生长原材料，调节气流量，使用低流量进行形核，达到预设沉积温度后，再使用大气流量在所述沉积温度下保温生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。

2.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤一中，所述生长原材料与基底的距离为6-20厘米。

3.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤一中，生长原材料与辅助生长材料的距离为2-8厘米。

4.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤二中，基底保温温度为500-700℃；形核阶段起始温度为600-730℃，气流量为10-150sccm。

5.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤二中，形核开始时间至沉积生长时间为1-10分钟。

6.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤二中，所述沉积温度为650～750℃，沉积时间为1～60分钟。沉积温度为660℃、700℃或730℃，沉积时间为5分钟、10分钟或30分钟。

7.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤二中，初始气流大小为250～500立方厘米/分钟。

8.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤二中，所述生长原材料铋氧硒为Bi₂O₂Se固体粉末，所述Bi₂O₂Se固体粉末的质量为0.1～3g；Bi₂O₂Se固体粉末的质量为0.3g、0.5g或2g。

9.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤二中，所述辅助生长材料为硒化铋固体片，所述硒化铋的质量为0.01-1g。

10.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤二中，所述基底为氟金云母，化学式为KMg(ALSi₃O₁₀)F ₂。