[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。量子点发光二极管包括底电极、顶电极、层叠设置在底电极和顶电极之间的功能层及量子点发光层，量子点发光层包括量子点和聚合物填充体，聚合物填充体填充于量子点之间的间隙以及功能层表面的缺陷位置处。聚合物填充体填充于量子点之间的间隙，可减少量子点的颗粒团聚，降低量子点发光层的表面粗糙度，使得量子点发光层更为均一和致密。聚合物填充体还填充于功能层表面的缺陷位置处，增加了量子点与功能层之间的粘附力，减少漏电流，提高载流子的传输能力，进而提高量子点发光二极管的器件性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。

背景技术

量子点(quantumdot)由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。由于量子尺寸效应，量子点发光半峰宽很窄，因此具有极好的色纯度，将量子点材料制成量子点发光二极管(QuantumDotLightEmitting Diode，简称QLED)，可以实现比有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)显示器件更好的色域。

量子点发光层一般将量子点墨水采用打印方式加入基板的像素坑槽，但是现有的制备方法对量子点墨水干燥之后，容易出现量子点发光层膜厚不均的问题。

发明内容

本发明的目的是提供了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，旨在解决现有的量子点发光层膜厚不均的问题。

本发明第一方面提供一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极、层叠设置在底电极和顶电极之间的功能层及量子点发光层，量子点发光层包括量子点和聚合物填充体，聚合物填充体填充于量子点之间的间隙以及功能层表面的缺陷位置处。

在一些实施例中，聚合物填充体的透光率大于90％；

优选地，聚合物填充体的分子量为3000～10000。

在一些实施例中，功能层为空穴传输层或空穴注入层，聚合物含有苯胺、噻吩或咔唑基团中的至少一种。

在一些实施例中，功能层为电子传输层或电子注入层，聚合物含有嘧啶、三嗪或吡啶基团中的至少一种。

本发明第二方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，在基板上依次制备底电极和功能层；

将量子点墨水打印至功能层的表面，其中，量子点墨水中含有聚合物填充体；

将基板放置于蒸发设备中，调节蒸发设备由第一气压P1降低至第二气压P2，进行第一次溶剂蒸发；

调节蒸发设备由第二气压P2降低至第三气压P3，进行第二次溶剂蒸发，得到量子点发光层；

在量子点发光层上制备顶电极。

在一些实施例中，P2为100～500Pa，P3为0.1～10Pa；

优选地，P1为标准大气压。

在一些实施例中，第一次溶剂蒸发的时间为1～20min，第二次溶剂蒸发的时间为10～60min。

优选地，蒸发设备的蒸发温度设置为25～80℃。

在一些实施例中，量子点墨水中，聚合物填充体的浓度为0.1～10g/ml；优选地，聚合物填充体的浓度为1～5g/ml；

量子点的浓度为10～100mg/ml；优选地，量子点的浓度为30～50mg/ml。

在一些实施例中，量子点墨水满足以下公式：