[发明专利]基板处理设备

说明书

本发明概念提供一种基板处理设备。基板处理设备包括主体；流体供应单元，用于将处理流体供应至主体内的处理空间；及流体排出管线，用于自处理空间排出处理流体，且其中主体包括：第一主体；第二主体，相对于第一主体相对移动；及抗摩擦构件，用于防止第一主体与第二主体之间的摩擦，且其中抗摩擦构件配置为连续覆盖第一主体及第二主体的表面中的至少两个表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年7月29日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0099854的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明关于一种基板处理设备。

背景技术

为了制造半导体装置，经由基板上的各种工艺，诸如光学微影术工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子植入工艺、及薄膜沉积工艺，在诸如晶圆的基板上形成所需图案。各个工艺使用各种处理流体及处理气体，且工艺期间会产生颗粒及工艺副产品。为了自基板移除这些颗粒及工艺副产品，在各个工艺前后执行清洗工艺。

已知清洗工艺用化学品及冲洗液来处理基板。接着，执行干燥处理。干燥处理的实施方案包括旋转干燥工艺，其中基板以高速旋转以移除残留于基板上的冲洗液。然而，有一个问题是，该旋转干燥方法可能会破坏形成于基板上的图案。

因此，新近使用超临界干燥工艺将诸如异丙醇(IPA)的有机溶剂供应至基板上，以用具有低表面张力的有机溶剂替换残留于基板上的冲洗液，且接着将超临界状态下的处理流体(例如，二氧化碳)供应至基板上，以移除残留于基板上的有机溶剂。在超临界干燥工艺中，将干燥气体供应至内部密封的工艺腔室，并对干燥气体进行加热及加压。干燥气体的温度及压力均上升至临界点之上，且干燥气相改变为超临界状态。

在用于执行超临界干燥工艺的基板处理设备中，如图1中所示，顶部主体1与底部主体2彼此组合以形成内部空间，诸如晶圆的基板W由支承构件4支承，并将干燥气体供应至内部空间。为了使干燥气体保持超临界状态，将内部空间的压力保持在高压非常重要。内部空间由诸如O形圈的密封构件3密封。此外，为了最小化诸如顶部主体1与底部主体2彼此接触的区域中颗粒的杂质的产生，接触膜5安装于底部主体2的接合表面上。

同时，当基板W由干燥气体干燥时，在顶部主体1与底部主体2处因内部空间的压力而产生各个方向上的振动。此类振动在各个方向上不规则地发生，诸如X-Y-Z方向、在X方向上旋转的方向、在Y方向上旋转的方向、在Z方向上旋转的方向、及类似者。在这一情况下，如图2中所示，接触膜5中可能发生变形现象及推动现象。

发明内容

本发明概念的实施方案提供一种基板处理设备，用于有效处理基板。

本发明概念的实施方案提供一种基板处理设备，用于最小化主体之间提供的抗摩擦构件中推动现象或变形现象的发生。

本发明概念的实施方案提供一种基板处理设备，用于在高压工艺期间最小化主体的精细振动。

本发明概念的实施方案提供一种基板处理设备，用于增加抗摩擦构件的更换周期。

本发明概念的技术目的不限于上述目的，其他未提及的技术目的将自以下描述而对本领域技术人员为显而易见的。

本发明概念提供一种基板处理设备。基板处理设备包括主体；流体供应单元，用于将处理流体供应至主体内的处理空间；及流体排出管线，用于自处理空间排出处理流体，其中主体包括：第一主体；第二主体，相对于第一主体相对移动；及抗摩擦构件，用于防止第一主体与第二主体之间的摩擦，其中抗摩擦构件配置为连续覆盖第一主体及第二主体的表面中的至少两个表面。

在实施方案中，第一主体及第二主体的表面包括：第一表面；及第二表面，自第一表面延伸，其中抗摩擦构件包括：第一部分，配置为覆盖第一表面；及第二部分，在自第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸并配置为覆盖第二表面。