[发明专利]基板处理设备在审
申请号: | 202210907723.4 | 申请日: | 2022-07-29 |
公开(公告)号: | CN115692257A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 李钟斗;吴承勋;诸振模;金基峰;李暎熏 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 侯志源 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
1.一种基板处理设备,所述基板处理设备包含:
主体;
流体供应单元,所述流体供应单元用于将处理流体供应至所述主体内的处理空间;及
流体排出管线,所述流体排出管线用于从所述处理空间排出所述处理流体,
其中所述主体包含:
第一主体;
第二主体,所述第二主体相对于所述第一主体相对移动;及
抗摩擦构件,所述抗摩擦构件用于防止所述第一主体与所述第二主体之间的摩擦,且
其中所述抗摩擦构件配置为连续覆盖所述第一主体及所述第二主体的表面中的至少两个表面。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中所述第一主体及所述第二主体的所述表面包含:
第一表面;及
第二表面,自所述第一表面延伸,且
其中所述抗摩擦构件包括:
第一部分,所述第一部分配置为覆盖所述第一表面;及
第二部分,所述第二部分配置为在自所述第一部分延伸的方向的交叉方向上延伸并配置为覆盖所述第二表面。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中所述第二部分以多个提供。
4.根据权利要求3所述的基板处理设备,其中一些所述第二部分自所述第一部分在向上方向上延伸,而其他所述第二部分在向下方向上延伸。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中一些所述第二部分自所述第一部分在向上及倾斜方向上延伸,而其他所述第二部分在向下及倾斜方向上延伸。
6.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中所述抗摩擦构件具有其中所述第一部分与所述第二部分整体形成的一体形式。
7.根据权利要求3所述的基板处理设备,其中所述第二部分彼此间隔开,且空间为15毫米至20毫米。
8.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中所述第一主体及所述第二主体的所述表面包括自所述第一表面及所述第二表面延伸的第三表面,且所述抗摩擦构件进一步包括自所述第一部分延伸的第三部分。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理设备,其中所述第一主体为界定所述处理空间的腔室主体,且
所述第二主体为用于夹持所述腔室主体的夹持主体。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理设备,其中所述第一主体及所述第二主体中的每一个彼此组合以界定所述处理空间的第一腔室主体与第二腔室主体。
11.根据权利要求10所述的基板处理设备,其中所述第一主体或所述第二主体中的任何一个能够在侧方向上移动。
12.根据权利要求10所述的基板处理设备,其中所述第一主体或所述第二主体中的任何一个能够在上/下方向上移动。
13.一种基板处理设备,所述基板处理设备包含:
腔室主体,所述腔室主体界定用于处理基板的处理空间,所述腔室主体包括第一腔室主体、及相对于所述第一腔室主体相对移动的第二腔室主体;
夹持主体,若所述第一腔室主体与所述第二腔室主体在闭合位置下紧密接触,则所述夹持主体用于夹持所述第一腔室主体及所述第二腔室主体;及
抗摩擦构件,所述抗摩擦构件用于防止所述夹持主体与所述腔室主体之间的摩擦。
14.根据权利要求13所述的基板处理设备,其中所述抗摩擦构件配置为连续覆盖所述夹持主体或所述腔室主体中的任何一个的表面中的至少两个表面。
15.根据权利要求14所述的基板处理设备,其中所述抗摩擦构件以多个提供并彼此间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造