[发明专利]瞬时电压抑制装置

权利要求书

1.一种瞬时电压抑制装置，其特征在于，包括：

至少一个P型轻掺杂结构；以及

至少一个静电放电结构，设于所述至少一个P型轻掺杂结构中，其中所述至少一个静电放电结构包括：

一N型轻掺杂阱区，设于所述至少一个P型轻掺杂结构中；

一N型阱区，设于所述N型轻掺杂阱区中，其中所述N型轻掺杂阱区的掺杂浓度小于所述N型阱区的掺杂浓度；

一第一P型重掺杂区，设于所述N型阱区中；以及

一第一N型重掺杂区，设于所述至少一个P型轻掺杂结构中。

2.如权利要求1所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述第一P型重掺杂区与所述N型轻掺杂阱区耦接一第一接脚，所述第一N型重掺杂区与所述至少一个P型轻掺杂结构耦接一第二接脚。

3.如权利要求2所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述至少一个静电放电结构还包括：

一第二N型重掺杂区，设于所述N型轻掺杂阱区中，其中所述第一P型重掺杂区位于所述第二N型重掺杂区与所述第一N型重掺杂区之间，所述N型轻掺杂阱区通过所述第二N型重掺杂区耦接所述第一接脚；以及

一第二P型重掺杂区，设于所述至少一个P型轻掺杂结构中，其中所述至少一个P型轻掺杂结构通过所述第二P型重掺杂区耦接所述第二接脚。

4.如权利要求3所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述至少一个静电放电结构还包括一第三N型重掺杂区，其设于所述N型轻掺杂阱区中，并位于所述第一P型重掺杂区与所述第一N型重掺杂区之间，其中所述第三N型重掺杂区为电性浮接。

5.如权利要求4所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述至少一个静电放电结构还包括一P型阱区，其设于所述至少一个P型轻掺杂结构中，其中所述P型阱区的掺杂浓度大于所述至少一个P型轻掺杂结构的掺杂浓度，所述第一N型重掺杂区与所述第二P型重掺杂区设于所述P型阱区中，所述至少一个P型轻掺杂结构通过所述第二P型重掺杂区与所述P型阱区耦接所述第二接脚。

6.如权利要求3所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述第二N型重掺杂区环绕所述N型阱区与所述第一P型重掺杂区。

7.如权利要求1所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述至少一个静电放电结构还包括两个静电放电结构，所述两个静电放电结构的所述第一N型重掺杂区通过一导电线互相耦接，所述两个静电放电结构的其中一个的所述第一P型重掺杂区与所述N型轻掺杂阱区耦接一第一接脚，所述两个静电放电结构的另一个的所述第一P型重掺杂区与所述N型轻掺杂阱区耦接一第二接脚。

8.如权利要求1所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述至少一个静电放电结构还包括两个静电放电结构，所述至少一个P型轻掺杂结构包括两个P型轻掺杂结构，所述两个静电放电结构的所述第一N型重掺杂区与所述两个P型轻掺杂结构通过一导电线互相耦接，所述两个静电放电结构的其中一个的所述第一P型重掺杂区与所述N型轻掺杂阱区耦接一第一接脚，所述两个静电放电结构的另一个的所述第一P型重掺杂区与所述N型轻掺杂阱区耦接一第二接脚。

9.如权利要求1所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述至少一个P型轻掺杂结构为P型轻掺杂基板。

10.如权利要求1所述的瞬时电压抑制装置，其特征在于，所述至少一个P型轻掺杂结构为P型轻掺杂磊晶层，所述P型轻掺杂磊晶层设于一N型轻掺杂基板上。