[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一玻璃衬底；

在所述玻璃衬底上形成栅极金属层，所述玻璃衬底和所述栅极金属层表面分布有多个含氧基团，所述含氧基团的结构通式为“-O-”；以及

在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层，所述含氧基团与所述栅极绝缘层中的硅原子通过化学键结合形成硅氧基团。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述玻璃衬底上形成栅极金属层的步骤包括：

将至少一种含氧化合物溶于水洗试剂中；以及

采用所述水洗试剂对所述玻璃衬底和所述栅极金属层进行水洗清洁，在所述栅极金属层和所述玻璃衬底表面形成多个所述含氧基团。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层的步骤包括：

提供一无机溶液；

将所述无机溶液形成于所述玻璃衬底和所述栅极金属层表面；

对所述阵列基板进行加热处理，所述含氧化合物发生开环反应，得到多个所述含氧基团，所述含氧基团与所述栅极绝缘层中的硅原子通过化学键结合形成硅氧基团；以及

冷却至室温，得到所述栅极绝缘层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述提供一无机溶液的步骤之后，所述制备方法还包括：

将至少一种所述含氧化合物溶于无机溶液中，搅拌均匀。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述含氧化合物包括环氧化合物和呋喃化合物中的其中一种。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述含氧化合物中的所述含氧基团的质量分数范围为2.5％～3％。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述栅极金属层的步骤之前，所述制备方法还包括：

采用臭氧清洗机对所述玻璃衬底进行清洗，在所述玻璃衬底表面形成多个所述含氧基团；

其中，在形成所述栅极绝缘层时，所述含氧基团与所述栅极绝缘层中的硅原子通过化学键结合形成硅氧基团。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；以及

在所述半导体层上形成源漏极金属层。

9.一种阵列基板，采用如权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备而成；其特征在于，所述阵列基板包括：

玻璃衬底；

栅极金属层，设置于所述玻璃衬底上；以及

栅极绝缘层，覆盖所述玻璃衬底和所述栅极金属层上，所述玻璃衬底和所述栅极金属层表面分布有多个含氧基团，所述含氧基团的结构通式为“-O-”，所述含氧基团与所述栅极绝缘层中的硅原子通过化学键结合形成硅氧基团。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；以及

液晶层，设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。