[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括：在基板上形成栅极和栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层；对待转换层进行快速退火处理形成第一有源层；在第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均连接第一有源层。通过本申请的制备方法制备得到的阵列基板的结晶度及原子有序性较高，电子迁移率高达2‑10cm²/Vs，能够适用于大尺寸(例如大于65寸)、高分辨率(例如8k)、高刷新率(例如大于等于120Hz)的显示面板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法。

背景技术

随着显示技术的发展以及人们对高清显示面板的要求越来越高，大尺寸、高分辨率以及高刷新频率的产品成为显示面板未来的发展方向。而高分辨率和高刷新率的显示面板中的面板，必然会导致充电率的下降。因此，对显示面板中的阵列基板的要求越来越高，要求高电子迁移率阵列基板器件的引入成为必要。但是，目前市面上的阵列基板的有源层薄膜普遍采用非晶硅薄膜，其迁移率在0.2-0.5cm²/Vs之间，较低的迁移率使其很难应用于高阶产品。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法，以及包括该阵列基板的显示面板，旨在通过结合原子层沉积技术以及快速退火技术制备有源层薄膜，从而获得一种具有较高电子迁移率的阵列基板和包括该阵列基板的显示面板。

第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法。制备方法包括：在基板上形成栅极和栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层；对待转换层进行快速退火处理形成第一有源层；在第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均连接第一有源层。

一种可能的实现方式中，第一有源层的材质为微晶硅。

一种可能的实现方式中，在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层的步骤中，包括：在反应腔室内通入氢气与硅烷，以形成待转换层，其中，氢气与硅烷的气体体积流量比的比值在20至80范围之间，待转换层的材质为纳米晶硅。

一种可能的实现方式中，在所述栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层的步骤中，包括：在反应腔室内通入氢气与硅烷，以形成待转换层，其中，氢气与硅烷的气体体积流量比的比值在5至20范围之间，待转换层的材质为非晶硅。

一种可能的实现方式中，对待转换层进行快速退火处理形成第一有源层的步骤中，包括：快速退火的退火温度在600摄氏度至900摄氏度范围内。

一种可能的实现方式中，在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层的步骤中，包括：制备温度小于400摄氏度。

一种可能的实现方式中，在第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极的步骤中，包括：在第一有源层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均连接欧姆接触层。

一种可能的实现方式中，在第一有源层上形成欧姆接触层的步骤中，包括：通过原子层沉积工艺形成欧姆接触层，欧姆接触层由p掺杂的纳米晶硅或者p掺杂的微晶硅构成。

一种可能的实现方式中，对待转换层进行快速退火处理形成第一有源层的步骤之后，在第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极的步骤之前，制备方法还包括：在第一有源层上形成第二有源层，第二有源层的材质为微晶硅、纳米晶硅或者非晶硅。

第二方面，本申请实施例还提供一种阵列基板。阵列基板为根据上述的制备方法制备而成。

第三方面，本申请实施例还提供一种阵列基板。阵列基板包括基板、栅极、栅极绝缘层、源极以及漏极。栅极设于基板。栅极绝缘层覆盖栅极。阵列基板还包括第一有源层。第一有源层设于栅极绝缘层远离栅极的表面。源极与漏极设于第一有源层远离栅极绝缘层的表面，且相对间隔设置。第一有源层的材质为微晶硅。第一有源层的厚度在100埃至500埃范围之间。