[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层；

对所述待转换层进行快速退火处理形成第一有源层；

在所述第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极均连接所述第一有源层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一有源层的材质为微晶硅。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层，包括：

在反应腔室内通入氢气与硅烷，以形成所述待转换层，其中，氢气与硅烷的气体体积流量比的比值在20至80范围之间，所述待转换层的材质为纳米晶硅。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层，包括：

在反应腔室内通入氢气与硅烷，以形成所述待转换层，其中，氢气与硅烷的气体体积流量比的比值在5至20范围之间，所述待转换层的材质为非晶硅。

5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，对所述待转换层进行快速退火处理形成第一有源层的步骤中，包括：

快速退火的退火温度在600摄氏度至900摄氏度范围内。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层的步骤中，包括：

制备温度小于400摄氏度。

7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，对所述待转换层进行快速退火处理形成第一有源层的步骤之后，在所述第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极的步骤之前，所述制备方法还包括：

在所述第一有源层上形成第二有源层，所述第二有源层的材质为微晶硅、纳米晶硅或者非晶硅。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为根据权利要求1至7任一项所述的制备方法制备而成。

9.一种阵列基板，包括基板、栅极、栅极绝缘层、源极以及漏极，所述栅极设于所述基板，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其特征在于，所述阵列基板还包括第一有源层，所述第一有源层设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面，所述源极与所述漏极设于所述第一有源层远离所述栅极绝缘层的表面，且相对间隔设置；

所述第一有源层的材质为微晶硅，所述第一有源层的厚度在100埃至500埃范围之间。

10.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶层以及权利要求1至9中任一项所述的阵列基板，所述液晶层设于所述阵列基板，所述彩膜基板设于所述液晶层远离所述阵列基板的表面。