[发明专利]晶体振荡器及其制作方法

说明书

本发明公开了一种晶体振荡器及其制作方法，晶体振荡器包括带腔体的底座；分离设置在腔体内的晶片和温度补偿芯片；设置在晶片上的温度传感器，温度传感器与温度补偿芯片连接；设置在腔体内的控温芯片，用以控制腔体内的温度维持在晶片与温度补偿芯片的工作温度范围内。在本发明中通过在腔体内设置控温芯片，将腔体内的温度维持在晶片与温度补偿芯片的工作温度范围内，从而避免无法对晶片温度进行补偿，并且将温度传感器直接贴合设置在晶片上，对晶片上的当前温度进行准确采集，实现对温度的准确补偿。

技术领域

本发明涉及振荡器技术领域，尤其涉及一种晶体振荡器及其制作方法。

背景技术

现有晶体振荡器的结构中，温度传感器通常设置在温度补偿芯片内，并且温度补偿芯片与晶片之间存在一定的空隙。在温度外界温度发生变化时，温度补偿芯片通过与底座的接触传导热量，感温较快；而晶片的感温是通过与周围环境的热交换感温，导致温度补偿芯片与晶片的感温存在一定的差异，从而温度补偿芯片输出的温度补偿数据与晶片所需的温度数据不一致，使补偿存在误差，从而导致温度补偿精度不高。此外，腔体内的温度取决于外部环境温度，对于恶劣的温度环境下温度补偿芯片无法对晶片的温度进行补偿，如军工的低温-60℃和高温125℃等，在这种极限温度下，温度补偿芯片和晶片可能无法正常工作，而且晶片的生产工艺也无法实现如此宽泛的工作温度范围。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种晶体振荡器及其制作方法，旨在解决现有技术中无法对晶片的工作温度进行准确补偿甚至无法进行补偿的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种晶体振荡器，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座；

分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片；

设置在所述晶片上的温度传感器，所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接；

设置在所述腔体内的控温芯片，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。

可选地，所述腔体内设有：晶片焊接区和芯片焊接区；

所述芯片焊接区处于所述腔体的底部，所述温度补偿芯片设置在所述芯片焊接区内；

所述晶片焊接区处于所述腔体的侧边，所述晶片的一端设置在所述晶片焊接区内。

可选地，所述温度传感器贴合设置在所述晶片的下表面。

可选地，所述温度传感器，用于采集所述晶片的当前温度信号，并将所述当前温度信号发送至所述温度补偿芯片；

所述温度补偿芯片，用于在接收到所述当前温度信号时，将所述当前温度信号对应的当前温度与所述晶片的标准工作温度进行比较；

所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度与所述标准工作温度并不相同时，输出温度补偿信号对所述晶片的当前温度进行补偿。

可选地，所述控温芯片与所述温度补偿芯片连接；

所述温度补偿芯片，还用于将所述当前温度分别与所述腔体内的最大临界温度以及最小临界温度进行比较；

所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度大于最大临界温度或小于最小临界温度时，输出控温信号至所述控温芯片；

所述控温芯片，还用于在接收到所述控温信号时启动，控制所述腔体内的温度维持在所述最大临界温度和最小临界温度之间。

可选地，所述温度传感器为铂电阻温度传感器。

可选地，所述晶体振荡器还包括金属盖；

所述金属盖设置于所述底座上，用以密封所述腔体。

为实现上述目的，本发明还提出一种晶体振荡器制作方法，所述晶体振荡器制作方法包括：

获取带腔体的底座；