[发明专利]晶体振荡器及其制作方法在审
| 申请号: | 202210860033.8 | 申请日: | 2022-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN114938215A | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
| 发明(设计)人: | 王巍巍;周柏雄;刘朝胜;刘靖;张华龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市英特瑞半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/08 | 分类号: | H03H9/08;H03H9/17;H03H3/04 |
| 代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 何秋石 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体振荡器 及其 制作方法 | ||
1.一种晶体振荡器,其特征在于,所述晶体振荡器包括:
带腔体的底座;
分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片;
设置在所述晶片上的温度传感器,所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接;
设置在所述腔体内的控温芯片,用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。
2.如权利要求1所述的晶体振荡器,其特征在于,所述腔体内设有:晶片焊接区和芯片焊接区;
所述芯片焊接区处于所述腔体的底部,所述温度补偿芯片设置在所述芯片焊接区内;
所述晶片焊接区处于所述腔体的侧边,所述晶片的一端设置在所述晶片焊接区内。
3.如权利要求2所述的晶体振荡器,其特征在于,所述温度传感器贴合设置在所述晶片的下表面。
4.如权利要求3所述的晶体振荡器,其特征在于,所述温度传感器,用于采集所述晶片的当前温度信号,并将所述当前温度信号发送至所述温度补偿芯片;
所述温度补偿芯片,用于在接收到所述当前温度信号时,将所述当前温度信号对应的当前温度与所述晶片的标准工作温度进行比较;
所述温度补偿芯片,还用于在所述当前温度与所述标准工作温度并不相同时,输出温度补偿信号对所述晶片的当前温度进行补偿。
5.如权利要求4所述的晶体振荡器,其特征在于,所述控温芯片与所述温度补偿芯片连接;
所述温度补偿芯片,还用于将所述当前温度分别与所述腔体内的最大临界温度以及最小临界温度进行比较;
所述温度补偿芯片,还用于在所述当前温度大于最大临界温度或小于最小临界温度时,输出控温信号至所述控温芯片;
所述控温芯片,还用于在接收到所述控温信号时启动,控制所述腔体内的温度维持在所述最大临界温度和最小临界温度之间。
6.如权利要求1-5任一项所述的晶体振荡器,其特征在于,所述温度传感器为铂电阻温度传感器。
7.如权利要求6所述的晶体振荡器,其特征在于,所述晶体振荡器还包括金属盖;
所述金属盖设置于所述底座上,用以密封所述腔体。
8.一种基于权利要求1-7任一项所述晶体振荡器的晶体振荡器制作方法,其特征在于,所述晶体振荡器制作方法包括:
获取带腔体的底座;
在所述腔体内的芯片焊接区内焊接温度补偿芯片;
在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片;
连接所述温度补偿芯片与所述温度补偿芯片;
在所述腔体内设置控温芯片。
9.如权利要求8所述的晶体振荡器制作方法,其特征在于,所述在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片的步骤包括;
获取晶片;
在所述晶片下表面贴合设置温度传感器,获得贴合温度传感器的晶片;
将在所述腔体内的晶片焊接区内通过点银胶的方式设置所述贴合温度传感器的晶片。
10.如权利要求9所述的晶体振荡器制作方法,其特征在于,所述在所述腔体内设置控温芯片的步骤之后,还包括:
连接所述控温芯片与所述温度补偿芯片;
在所述底座上设置金属盖。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市英特瑞半导体科技有限公司,未经深圳市英特瑞半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210860033.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





