[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202210854081.6 | 申请日: | 2022-07-13 |
公开(公告)号: | CN115148937A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 曾平川;孔超;祁一歌;张如芹;吴启晓;姚亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 齐峰;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括:基底、设置在基底上的发光结构层、设置在发光结构层远离基底一侧的光处理层以及设置在光处理层远离基底一侧的光路调控层,光路调控层被配置为使透过光路调控层的光线发生散射;发光结构层包括像素定义层,像素定义层包括多个像素开口,光路调控层在基底上的正投影与像素开口在基底上的正投影至少部分交叠。
技术领域
本公开实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,简称AMOLED)显示屏具有色域广、分辨率高、可单独控制每个像素等优点,在终端市场占比越来越高。随着面板尺寸增加,面板功耗也逐渐升高,为了降低面板使用过程的功耗,需要采用低功耗的发光器件。一些技术中,采用效率增强结构(Efficiency enhancementstructure,简称EES)来提升显示装置的正面出光效率,以降低显示功耗。
经本申请发明人研究发现,现有采用效率增强结构的显示装置存在着在大视角下视觉效果差的问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决采用效率增强结构的显示装置在大视角下视觉效果差的问题。
第一方面,本公开实施例提供一种显示基板,包括:基底、设置在所述基底上的发光结构层、设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的光处理层以及设置在所述光处理层远离所述基底一侧的光路调控层,所述光路调控层被配置为使透过所述光路调控层的光线发生散射;所述发光结构层包括像素定义层,所述像素定义层包括多个像素开口,所述光路调控层在所述基底上的正投影与所述像素开口在所述基底上的正投影至少部分交叠。
一示例性实施例中,所述光路调控层在所述基底上的正投影包含所述像素开口在所述基底上的正投影。
一示例性实施例中,所述光路调控层包括第一颗粒层,所述第一颗粒层的材料包括氧化硅颗粒;或者,所述光路调控层包括第二颗粒层,所述第二颗粒层的材料包括氮化硅颗粒,或者,所述光路调控层包括叠设的第一颗粒层和第二颗粒层,所述第一颗粒层的材料包括氧化硅颗粒,所述第二颗粒层的材料包括氮化硅颗粒。
一示例性实施例中,所述光路调控层包括第三颗粒层,所述第三颗粒层的材料包括如下任意一种或多种:银颗粒、铜颗粒和铝颗粒。
一示例性实施例中,所述多个像素开口形成多个发光区,所述多个发光区至少包括红色发光区,所述光路调控层在所述基底上的正投影包含所述红色发光区在所述基底上的正投影。
一示例性实施例中,所述光处理层包括多个第一光处理结构和设置在所述第一光处理结构远离所述基底一侧的覆盖层,所述第一光处理结构的折射率小于所述覆盖层的折射率;相邻的第一光处理结构之间形成光处理开口,所述光处理开口在所述基底上的正投影与所述像素开口在基底上的正投影至少部分交叠。
一示例性实施例中,所述光处理层还包括设置在所述覆盖层远离所述基底一侧的第二光处理结构,所述第二光处理结构在所述基底上的正投影与所述像素开口在基底上的正投影至少部分交叠,所述第二光处理结构的折射率与所述覆盖层的折射率相等。
一示例性实施例中,所述显示基板还包括设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层,所述封装结构层的折射率小于所述覆盖层的折射率。
第二方面,本公开实施例提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择