[发明专利]离子束蚀刻设备

说明书

本公开涉及一种半导体装置制造系统。半导体装置制造系统可包括一腔室和在腔室中的一离子源。离子源可包括一出口。离子源可配置来产生一粒子束。半导体装置制造系统可还包括一网格结构，邻近离子源的出口且配置来操控粒子束。网格结构的一第一部分可与网格结构的一第二部分电性绝缘。

技术领域

本发明实施例涉及一种离子束蚀刻设备。更具体地来说，本发明实施例涉及一种具有网格结构的离子束蚀刻设备。

背景技术

随着半导体的技术进展，具有较高装置密度的半导体装置的需求增加。为了达到这些需求，半导体产业持续缩小半导体装置图案间的间距。此种缩小可能超出光刻设备的能力。为了达成期望的半导体装置图案密度和形貌，例如延伸工艺(elongation process)的附加侧向蚀刻工艺可通过蚀刻装置在半导体晶圆上执行。

发明内容

在一些实施例中，一种离子束蚀刻设备可包括一腔室和在腔室中的一离子源。离子源可包括一出口。离子源可配置来产生一粒子束。离子束蚀刻设备可还包括一网格结构，邻近离子源的出口且配置来操控粒子束。网格结构的一第一部分可与网格结构的一第二部分电性绝缘。

在一些实施例中，一种离子束蚀刻方法可包括将一基板装载至一吸座上、增加基板的一第一部分和一离子源之间的一第一间隔、减少基板的一第二部分和离子源之间的一第二间隔、以及在使基板的第二部分从离子源屏蔽时，移动一快门来使基板的第一部分暴露至离子源。

在一些实施例中，一种离子束蚀刻方法可包括将一基板装载至一吸座上、使基板的法线和一离子源的一出口之间的角度倾斜、以及移动吸座以分别在第一和第二持续时间下暴露基板的第一和第二部分。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图可以更加理解本公开。应注意的是，根据本产业的标准惯例，附图中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1是表示根据一些实施例，半导体装置制造系统的平面图。

图2是表示根据一些实施例，半导体装置制造系统的侧视图。

图3是表示根据一些实施例，半导体装置制造系统的网格结构的俯视图。

图4是表示根据一些实施例，关联于半导体制造系统的网格结构的偏压分布和输出的辐照分布。

图5是表示根据一些实施例，半导体装置制造系统的各元件的位置和移动。

图6是表示根据一些实施例，操作半导体装置制造系统的方法的流程图。

图7是表示根据一些实施例，半导体装置制造系统的操作阶段。

图8是表示根据一些实施例，关联于半导体装置制造系统的辐照分布、暴露时间分布、以及辐射能量分布电压分布。

图9～19是表示根据一些实施例，半导体装置制造系统的各操作阶段。

图20是表示根据一些实施例，通过半导体装置制造系统加工的基板的侧视图。

图21是表示根据一些实施例，通过半导体装置制造系统加工的基板的侧视图。

图22是表示根据一些实施例的电脑系统。

附图标记说明：

100：半导体装置制造系统

101：主机模块

102：加工模块

104：中转站

105：传送模块

107：装载端

108：基板存储装置