[发明专利]离子束蚀刻设备在审
| 申请号： | 202210842277.3 | 申请日： | 2022-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN115497802A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张容浩;张博钦;林立德;林斌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/08;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子束 蚀刻 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子束蚀刻设备，包括：
一腔室；
一离子源，位于该腔室中，配置来产生一粒子束且包括一出口；以及
一网格结构，邻近该离子源的该出口，且配置来操控该粒子束，其中该网格结构的一第一部分与该网格结构的一第二部分电性绝缘。
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