[发明专利]一种高纯铝管溅射靶材的制备方法

说明书

本申请提供了一种高纯铝管溅射靶材的制备方法，所述高纯铝管溅射靶材的制备方法具体步骤如下：原材料准备、真空冶炼、真空浇注、冷等静压、热加工、退火处理、冷却、机械加工以及包装入库，涉及溅射靶材技术领域，其中，本发明中在溅射靶材生产流程中采用了热加工处理以及退火处理工艺，可以使得待加工材料内部的孔隙降低，而且对粉末进行冷等静压操作时，将坯料在1600℃下烧结，同时在烧结时要适当保持一定的氧分压，可防止靶材中的物料分解，从而解决了溅射靶材中孔隙率较大的问题。

技术领域

本发明是关于溅射靶材技术领域，特别是关于一种高纯铝管溅射靶材的制备方法。

背景技术

溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制；较高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与组织均匀性、异物含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。这种被镀的材料就叫溅射靶材。溅射靶材有金属，合金，陶瓷化合物。

但本申请发明人在实现本申请实施例中的技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

溅射靶材在生产过程中为了保证铸锭中杂质元素含量尽可能低，通常其冶炼和浇注在真空下进行，但在铸造过程中，材料组织会存在一定的孔隙，这些孔隙会导致溅射过程中的微粒飞溅，从而影响溅射薄膜的质量。

发明内容

为了克服现有材料组织会存在一定的孔隙，这些孔隙会导致溅射过程中的微粒飞溅，从而影响溅射薄膜质量的问题，本申请实施例提供一种高纯铝管溅射靶材的制备方法，在溅射靶材生产流程中采用了热加工处理以及退火处理工艺，可以使得待加工材料内部的孔隙降低，而且对粉末进行冷等静压操作时，将坯料在1600℃下烧结，同时在烧结时要适当保持一定的氧分压，可防止靶材中的物料分解，从而解决了溅射靶材中孔隙率较大的问题。

本申请实施例解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种高纯铝管溅射靶材的制备方法，所述高纯铝管溅射靶材的制备方法具体步骤如下：

步骤一、原材料准备

取出原材料，在保护性气体氛围下进行混料；

步骤二、真空冶炼

将步骤一处理后的混料在真空环境下进行冶炼；

步骤三、真空浇注

将步骤二中冶炼之后的坯料在真空环境下进行浇注；

步骤四、冷等静压

将步骤三中浇注的坯料在冷却后采用冷等静压机进行压制；

步骤五、热加工

将步骤四中压制之后形成的坯料进行热加工；

步骤六、退火处理

将步骤五中热加工之后的坯料进行退火处理；

步骤七、冷却

将步骤六中经过退火处理后的坯料在冷却环境下进行冷却；

步骤八、机械加工

将步骤七中冷却之后的坯料进行磨削加工，即得到溅射靶材；

步骤九、包装入库

将磨削之后的溅射靶材进行包装入库。

优选的，所述步骤一中保护性气体氛围为氩气环境，且压力环境为100MPa-150MPa，压力环境中的保持时间为3-5h。