[发明专利]层叠器件晶片的形成方法

说明书

本发明提供层叠器件晶片的形成方法，无需在与器件芯片对应的矩形状的区域内形成对位用的对准标记而能够将器件晶片彼此对位来进行贴合。该层叠器件晶片的形成方法具有将第1器件晶片与第2器件晶片贴合的贴合步骤，贴合步骤包含如下的位置调整步骤：利用拍摄单元拍摄形成于第1器件晶片的正面侧的外周部且位于与器件对应的矩形状的区域外的第1规定线和形成于第2器件晶片的正面侧的外周部且位于与器件对应的矩形状的区域外的第2规定线，利用第1规定线和第2规定线来调整第1器件晶片和第2器件晶片的相对位置。

技术领域

本发明涉及层叠器件晶片的形成方法，形成层叠多个器件晶片而得的层叠器件晶片。

背景技术

近年来，在搭载有包含半导体器件芯片的半导体装置的产品中，如智能手机、平板电脑等移动设备所代表的那样，小型化、薄型化和轻量化不断进展。与此相伴，对于半导体装置也要求小型化、薄型化和高密度化。

为了应对该要求，提出了如下的方法：在将分别形成有多个半导体器件的第1、第2半导体晶片借助粘接层进行贴合而形成晶片上晶片(Wafer On Wafer：WOW)构造的层叠器件晶片之后，经由切割等而制造层叠多芯片封装(Multi Chip Package：MCP)(例如参照专利文献1)。

在专利文献1中，为了将第1、第2半导体器件晶片准确地对位而进行贴合，首先在第1、第2硅晶片的整体上形成热氧化膜，接着通过光刻工序在热氧化膜中在与器件芯片对应的矩形状的区域内形成对准标记。

对准标记具有表示相对于形成在矩形状的区域内的元件等的基准位置的功能，并且还作为在进行第1、第2半导体器件晶片的对位时示出各器件晶片的位置的定位标记发挥功能。

但是，为了进行光刻工序，需要准备用于形成对准标记的专用的光掩模，因此与进行光刻工序相应地制造成本也提高。

另外，该对准标记对于半导体器件自身的功能没有贡献，因此会由于存在对准标记导致能够形成包含半导体电路、布线层等的半导体器件的有效面积减少。

专利文献1：日本特开2008-153499号公报

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，不在与器件芯片对应的矩形状的区域内形成对位用的对准标记而能够将器件晶片彼此对位来进行贴合。

根据本发明的一个方式，提供层叠器件晶片的形成方法，将正面上呈格子状设定有多条分割预定线且在由该多条分割预定线划分的各个矩形状的多个区域的各个区域内分别形成有器件的第1器件晶片和第2器件晶片贴合，形成层叠多个器件晶片而得的层叠器件晶片，其中，该层叠器件晶片的形成方法具有如下的步骤：去除步骤，对该第1器件晶片进行加工，至少将形成于该第1器件晶片的该正面侧的外周部的倒角部去除；薄化步骤，在该去除步骤之后，将该第1器件晶片的背面侧进行磨削而薄化；以及贴合步骤，在该薄化步骤之后，将该第1器件晶片与该第2器件晶片贴合，该贴合步骤包含如下的位置调整步骤：利用拍摄单元拍摄形成于该第1器件晶片的该正面侧的外周部且位于与该器件对应的矩形状的区域外的第1规定线和形成于该第2器件晶片的该正面侧的外周部且位于与该器件对应的矩形状的区域外的第2规定线，利用该第1规定线和该第2规定线来调整该第1器件晶片和该第2器件晶片的相对位置。

优选在该贴合步骤中，将该第1器件晶片的该背面侧与该第2器件晶片的该正面侧贴合。

优选在该位置调整步骤中，利用拍摄单元同时拍摄该第1规定线和该第2规定线。

另外，优选该第1规定线是设定于该第1器件晶片的该正面的第1分割预定线，该第2规定线是设定于该第2器件晶片的该正面的第2分割预定线，该第1分割预定线和该第2分割预定线具有相同的形状和大小，在该位置调整步骤中，将该第1分割预定线与该第2分割预定线对位。