[发明专利]一种存储器的擦除方法、存储器及存储系统

说明书

本发明公开一种对存储器的擦除方法、存储器及存储系统。其中，所述擦除方法包括：对所述存储器的存储单元串进行预编程操作，其中，所述预编程操作包括：对所述存储单元串的第一擦除控制管提供第一编程电压，和/或，对所述存储单元串的第二擦除控制管提供所述第一编程电压；在所述预编程操作之后，对所述存储单元串的存储单元进行擦除操作；其中，所述存储单元串包括依次串联在位线与源极线之间的上选择管、存储单元以及下选择管；所述第一擦除控制管为所述上选择管中与所述位线相邻的上选择管；所述第二擦除控制管为所述下选择管中与所述源极线相邻的下选择管。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器的擦除方法、存储器及存储系统。

背景技术

半导体存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。当存储的数据在断电的情况下消失时，半导体存储器是易失性的。易失性存储器的示例可以包括静态随机存取存储器(SRAM，Static Random Access Memory)或者动态随机存取存储器(DRAM，DynamicRandom Access Memory)。当存储的数据在断电的情况下被保留时，半导体存储器是非易失性的，诸如闪存存储器、相变存储器(PRAM)等。在非易失性存储器中，3D NAND快闪存储器被广泛用作高容量存储介质。目前，存储器的一些擦除方面的问题仍需优化。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种存储器的擦除方法、存储器及存储系统，通过对存储器的擦除控制管的预编程，增大擦除控制管的阈值电压，以补偿存储器的多次擦除对擦除控制管的阈值电压的影响，以此保证擦除效率。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供一种存储器的擦除方法，所述擦除方法包括：

对所述存储器的存储单元串进行预编程操作，其中，所述预编程操作包括：对所述存储单元串的第一擦除控制管提供第一编程电压，和/或，对所述存储单元串的第二擦除控制管提供所述第一编程电压；

在所述预编程操作之后，对所述存储单元串的存储单元进行擦除操作；

其中，所述存储单元串包括依次串联在位线与源极线之间的上选择管、存储单元以及下选择管；所述第一擦除控制管为所述上选择管中与所述位线相邻的上选择管；所述第二擦除控制管为所述下选择管中与所述源极线相邻的下选择管。

第二方面，本发明实施例提供一种存储器，包括：

存储单元阵列，包括存储单元串；所述存储单元串包括依次串联在位线与源极线之间的上选择管、存储单元以及下选择管；

以及耦接在所述存储单元阵列且被配置为对所述存储单元阵列控制的外围电路；其中，

所述外围电路被配置为：对所述存储器的存储单元串进行预编程操作，其中，所述预编程操作包括：对所述存储单元串的第一擦除控制管提供第一编程电压，和/或，对所述存储单元串的第二擦除控制管提供所述第一编程电压；

在所述预编程操作之后，对所述存储单元进行擦除操作；

其中，所述第一擦除控制管为所述上选择管中与所述位线相邻的上选择管；所述第二擦除控制管为所述下选择管中与所述源极线相邻的下选择管。

第三方面，本发明实施例还提供一种存储系统，包括：

一个或多个前述任一项所述的存储器；

以及耦合到所述存储器且被配置为控制所述存储器的存储器控制器。