[发明专利]一种存储器的擦除方法、存储器及存储系统

权利要求书

1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，所述擦除方法包括：

对所述存储器的存储单元串进行预编程操作，其中，所述预编程操作包括：对所述存储单元串的第一擦除控制管提供第一编程电压，和/或，对所述存储单元串的第二擦除控制管提供所述第一编程电压；

在所述预编程操作之后，对所述存储单元串的存储单元进行擦除操作；

其中，所述存储单元串包括依次串联在位线与源极线之间的上选择管、存储单元以及下选择管；所述第一擦除控制管为所述上选择管中与所述位线相邻的上选择管；所述第二擦除控制管为所述下选择管中与所述源极线相邻的下选择管。

2.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，所述预编程操作还包括：

对所述存储单元提供第二编程电压；所述第一编程电压小于所述第二编程电压。

3.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，在对所述存储器的存储单元串进行预编程操作之前，所述擦除方法还包括：

确定所述第一擦除控制管的阈值电压的第一偏移量；

判断所述第一偏移量是否超过第一阈值；

在所述第一偏移量超过所述第一阈值时，对所述存储单元串的第一擦除控制管提供第一编程电压；

和/或，在对所述存储器的存储单元串进行预编程操作之前，所述擦除方法还包括：

确定所述第二擦除控制管的阈值电压的第二偏移量；

判断所述第二偏移量是否超过第二阈值；

在所述第二偏移量超过所述第二阈值时，对所述存储单元串的第二擦除控制管提供所述第一编程电压。

4.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，在对所述存储器的存储单元串进行预编程操作之前，所述擦除方法还包括：

判断所述存储单元串执行所述擦除操作的次数是否大于等于第三阈值；

在判定所述存储单元串执行所述擦除操作的次数大于等于所述第三阈值时，对所述存储单元串进行预编程操作。

5.根据权利要求2所述的擦除方法，其特征在于，所述第一编程电压和所述第二编程电压通过同一电压源提供。

6.根据权利要求5所述的擦除方法，其特征在于，所述擦除方法还包括：

通过控制所述电压源提供的所述第一编程电压的斜坡脉冲宽度，以控制所述第一编程电压的大小。

7.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，所述第一编程电压大于临界阈值；所述临界阈值为使所述第一擦除控制管的阈值电压和所述第二擦除控制管的阈值电压增大所需的最低电压值。

8.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，所述存储器包括：与所述上选择管耦接的第一选择线和/或与所述下选择管耦接的第二选择线，其中，所述第一编程电压经由与所述第一擦除控制管耦接的第一选择线向所述第一擦除控制管提供；和/或，所述第一编程电压经由与所述第二擦除控制管耦接的所述第二选择线向所述第二擦除控制管提供。

9.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，所述存储器包括存储块；所述存储块包含多个所述存储单元串；所述擦除方法还包括：

对所述存储块执行所述擦除操作前，对所述多个所述存储单元串中每一个存储单元串执行预编程操作。