[发明专利]一种太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对P型硅片正面进行制绒；

S2、在P型硅片正面生长隧穿氧化层；

S3、在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜；所述掩膜为氧化硅薄膜和/或磷掺杂氧化硅薄膜；

S4、采用激光对非金属化区域进行开窗处理，去除掩膜；

S5、对开窗区域进行制绒；

S6、对P型硅片正面进行磷扩散和退火处理，在开窗区域形成轻掺杂n型发射极以及在未开窗区域形成隧穿钝化接触结构；

S7、对P型硅片背面进行刻蚀和对P型硅片正面进行清洗，完成对太阳能电池的制备。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，采用化学氧化法、热氧法、PECVD法或ALD法在P型硅片正面生长隧穿氧化层；所述隧穿氧化层的厚度为0.5nm～2.5nm；所述隧穿氧化层为氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，采用PECVD法或PVD法在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜；所述磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为30nm～300nm；所述磷掺杂非晶硅薄膜的磷掺杂浓度为1E20cm^-3～1E21cm^-3。

4.据权利要求3述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为60nm～150nm；所述磷掺杂非晶硅薄膜的磷掺杂浓度为2E20cm^-3～7E20cm^-3。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用碱性溶液对P型硅片正面进行制绒，形成金字塔绒面；所述金字塔绒面的尺寸为0.5μm～3μm；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、TMAH溶液中的至少一种；所述P型硅片的电阻率为0.3Ω·cm～7Ω·cm。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述开窗处理完成后，未被去除的金属化区域的保留宽度为30μm～200μm。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S5中，采用碱性溶液对开窗区域进行制绒，去除激光损伤并在非金属化区域硅片表面形成金字塔绒面；所述金字塔绒面的尺寸为0.5μm～3μm；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、TMAH溶液中的至少一种。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S6中，所述磷扩散的温度为800℃～950℃；所述退火处理的温度为800℃～950℃；所述轻掺杂n型发射极的扩散方阻为120～250Ω/sq；

步骤S7中，采用氢氟酸和硝酸的混合溶液对硅片背面进行刻蚀，去除背面和边缘绕扩PSG；采用氢氟酸溶液对硅片正面进行清洗，去除掩膜和PSG。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S7中，在刻蚀和清洗完成后，还包括：在P型硅片正面和背面生长钝化层、在P型硅片正面和背面生长减反射层、背面开窗、金属化、烧结和后处理。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，采用热氧法或PECVD法在P型硅片正面生长钝化层；所述钝化层为氧化硅层和/或氮化硅层；所述钝化层的厚度为1nm～5nm；

采用ALD法或PEALD法在P型硅片背面生长钝化层；所述钝化层为氧化铝层；所述钝化层的厚度为3nm～20nm；

采用PECVD法在P型硅片正面和背面分别生长减反射层；所述减反射层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种膜层或多种叠层膜；所述减反射层的厚度为60nm～150nm；

采用激光对P型硅片背面进行开窗；

采用丝网印刷或激光转印的方式在P型硅片正面制备正面副栅线和正面主栅电极，以及在P型硅片背面制备背面副栅线和背面主栅电极，完成对硅片的金属化处理；所述正面副栅线和正面主栅电极为银电极；所述背面副栅线为铝电极；所述背面主栅电极为银电极；

所述后处理包括利用光注入方式或电注入方式对电池片进行处理。