[发明专利]基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置

权利要求书

1.一种基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于，包括：

LSTM模块，用于根据输入的半导体制造机台的数据来输出量测数据预测值；所述量测数据预测值为完成所述半导体制造机台的制造工艺的晶圆的量测数据的预测值；

窗口移动LSTM模块，用于捕获所述半导体制造机台的过程变量和量测数据的长期漂移信息，以更新所述LSTM模块的模型参数，从而提高所述LSTM模块的预测精度的稳定性。

2.如权利要求1所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述LSTM模块的初始模型参数通过对已知的所述半导体制造机台的数据和对应的所述晶圆的量测数据进行学习得到。

3.如权利要求2所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述窗口移动LSTM模块工作时，所述窗口移动LSTM模块所捕获的所述半导体制造机台的过程变量为FDC数据以及所述晶圆的量测数据为前几片晶圆的量测数据。

4.如权利要求3所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述窗口移动LSTM模块工作时，所述窗口移动LSTM模块获取的所述晶圆的量测数据为前3片～5片所述晶圆的量测数据。

5.如权利要求3所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述窗口移动LSTM模块包括标准化模块以及PCA模块；

所述标准化模块用于对所述FDC数据进行标准化处理；

所述PCA模块用于对经过标准环处理后的所述FDC数据进行特征提取。

6.如权利要求5所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述PCA模块从批量的所述FDC数据中进行特征提取。

7.如权利要求6所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述PCA模块采用MPCA实现。

8.如权利要求4所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述窗口移动LSTM模块根据所述晶圆的量测数据计算更新前的所述LSTM模块的长期漂移信息，所述长期漂移信息为由所述晶圆的量测数据和更新前的所述LSTM模块的量测数据预测值之间的残差值。

9.如权利要求8所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述窗口移动LSTM模块还包括量测数据顺序输入模块，所述窗口移动LSTM模块工作时，所述量测数据顺序输入模块使所述晶圆的量测数据按顺序输入到更新前的所述LSTM模块中。

10.如权利要求8所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述LSTM模块包括多个LSTM模型单元；

更新所述LSTM模块的模型参数时，所述窗口移动LSTM模块依次对各所述LSTM模型单元的模型参数进行更新，从而得到更新后的所述LSTM模块。

11.如权利要求1或10所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述LSTM模块工作时，输入的所述半导体制造机台的数据采用PCA模块进行特征提取。

12.如权利要求1所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述半导体制造机台包括薄膜沉积机台。

13.如权利要求12所述的基于LSTM的半导体制造机台虚拟量测装置，其特征在于：所述薄膜沉积机台包括CVD机台；

所述CVD机台用于沉积介质膜；

所述介质膜包括氧化硅，氮化硅；

所述晶圆的量测数据包括沉积在所述晶圆上的所述介质膜的厚度量测数据。