[发明专利]镍金镀层的制备方法

说明书

本发明提供了一种镍金镀层的制备方法，包括以下步骤：配置氨基磺酸镍水溶液；将硼酸加入到所述氨基磺酸镍水溶液中，得到混合液；将氯化镍加入到所述混合液中，得到电镀液；将镍块作为阳极，将铜引线框架作为阴极，并对所述镍块、所述铜引线框架以及所述电镀液施加电压，以在所述铜引线框架上形成镍镀层前体；增大所述电压，以使所述镍镀层前体中的镍晶体生长，从而得到镍镀层；以及在所述镍镀层上电镀以形成金镀层。本发明能够减少镍镀层中的镍原子扩散，且不会增加生产成本。

技术领域

本发明涉及电镀技术领域，特别是涉及一种镍金镀层的制备方法。

背景技术

目前，在大功率半导体封装领域，芯片和引线框架之间通常是使用打线结合(WireBonding)的方式进行互联。即芯片和引线框架之间通过焊线连接。这就要求在引线框架上面镀覆与焊线相对应的镀层来进行结合。而在射频器件中，由于其可靠性和电导率的要求，往往会选择金线作为焊线，因此镀层所选用的种类一般为镍金镀层。其中，镍镀层的作用主要是阻挡底部铜引线框架的铜原子扩散，金镀层的作用主要是和金线形成良好的结合，保障金线的性能和长期工作的稳定性。

然而，在使用镍金镀层的过程中，虽然镍镀层能够有效阻挡铜原子的扩散，但是镍镀层也容易扩散到金镀层表面，并且镍镀层氧化后影响金线的质量。目前通常采用加厚金镀层(使金镀层的厚度≥1.5μm)的方法以阻碍镍镀层扩散到金镀层表面，但由于金的价格较高，这又会增加生产成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够减少镍镀层中的镍原子扩散，且不会增加生产成本的镍金镀层的制备方法。

本发明提供了一种镍金镀层的制备方法，包括以下步骤：

配置氨基磺酸镍水溶液；

将硼酸加入到所述氨基磺酸镍水溶液中，得到混合液；

将氯化镍加入到所述混合液中，得到电镀液；

将镍块作为阳极，将铜引线框架作为阴极，并对所述镍块、所述铜引线框架以及所述电镀液施加电压，以在所述铜引线框架上形成镍镀层前体；

增大所述电压，以使所述镍镀层前体中的镍晶体生长，从而得到镍镀层；以及

在所述镍镀层上电镀以形成金镀层。

在一可能的实施例中，在所述电镀液中，镍离子的浓度为75～105g/L，硼酸的浓度为35～40g/L，氯化镍的浓度为7～15g/L。

在一可能的实施例中，配置所述氨基磺酸镍水溶液具体包括以下步骤：

将氨基磺酸镍溶于水中，得到镍离子浓度为150～210g/L的所述氨基磺酸镍水溶液。

在一可能的实施例中，将所述硼酸加入到所述氨基磺酸镍水溶液中具体包括以下步骤：

将所述硼酸溶于水中，得到浓度为350～400g/L的硼酸水溶液；以及

将所述硼酸水溶液加入到所述氨基磺酸镍水溶液中，得到所述混合液。

在一可能的实施例中，将所述氯化镍加入到所述混合液中具体包括以下步骤：

将所述氯化镍溶于水中，得到浓度为70～150g/L的氯化镍水溶液；以及

将所述氯化镍水溶液加入到混合液中，得到所述电镀液。

在一可能的实施例中，在将所述氯化镍水溶液加入到所述混合液中之后，所述制备方法还包括以下步骤：

将水加入到所述混合液中，以使得所述电镀液的体积为1.7～2.3L。

在一可能的实施例中，在形成所述镍镀层前体时，流经所述镍块的电流密度为1.5～2.5ASD。