[发明专利]镍金镀层的制备方法在审
| 申请号： | 202210694897.7 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN115172172A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 徐俊;陈志钊 | 申请（专利权）人： | 广东华智芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C25D3/12;C25D3/48;C25D5/12 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王南杰 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南海区狮山镇软件园桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀层 制备 方法 | ||
1.一种镍金镀层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
配置氨基磺酸镍水溶液；
将硼酸加入到所述氨基磺酸镍水溶液中，得到混合液；
将氯化镍加入到所述混合液中，得到电镀液；
将镍块作为阳极，将铜引线框架作为阴极，并对所述镍块、所述铜引线框架以及所述电镀液施加电压，以在所述铜引线框架上形成镍镀层前体；
增大所述电压，以使所述镍镀层前体中的镍晶体生长，从而得到镍镀层；以及
在所述镍镀层上电镀以形成金镀层。
2.如权利要求1所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，在所述电镀液中，镍离子的浓度为75～105g/L，硼酸的浓度为35～40g/L，氯化镍的浓度为7～15g/L。
3.如权利要求1所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，配置所述氨基磺酸镍水溶液具体包括以下步骤：
将氨基磺酸镍溶于水中，得到镍离子浓度为150～210g/L的所述氨基磺酸镍水溶液。
4.如权利要求3所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，将所述硼酸加入到所述氨基磺酸镍水溶液中具体包括以下步骤：
将所述硼酸溶于水中，得到浓度为350～400g/L的硼酸水溶液；以及
将所述硼酸水溶液加入到所述氨基磺酸镍水溶液中，得到所述混合液。
5.如权利要求4所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，将所述氯化镍加入到所述混合液中具体包括以下步骤：
将所述氯化镍溶于水中，得到浓度为70～150g/L的氯化镍水溶液；以及
将所述氯化镍水溶液加入到混合液中，得到所述电镀液。
6.如权利要求5所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，在将所述氯化镍水溶液加入到所述混合液中之后，所述制备方法还包括以下步骤：
将水加入到所述混合液中，以使得所述电镀液的体积为1.7～2.3L。
7.如权利要求1至6中任一项所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，在形成所述镍镀层前体时，流经所述镍块的电流密度为1.5～2.5ASD。
8.如权利要求1至6中任一项所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，在增大所述电压之后，流经所述镍块的电流密度为7～9ASD。
9.如权利要求1至6中任一项所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，在所述电镀液中，无光亮剂和走位剂。
10.如权利要求1至6中任一项所述的镍金镀层的制备方法，其特征在于，所述金镀层的厚度小于或等于0.5μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
