[发明专利]像素排布结构及显示基板、掩膜版组件在审
申请号: | 202210689927.5 | 申请日: | 2022-06-17 |
公开(公告)号: | CN115064571A | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 陈龙杰;邓星辰;杨赓杰;董宇翔;李杏;李峰;彭兆基 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 王佩 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 排布 结构 显示 掩膜版 组件 | ||
本公开涉及一种像素排布结构及显示基板、掩膜版组件。所述像素排布结构包括:由第一子像素、第二子像素和第三子像素均匀分布且相互拼接构成的像素组;所述像素组的形状为规则多边形;其中,所述第一子像素的至少一侧边缘具有凹槽,至少部分所述第二子像素和至少部分所述第三子像素设于所述凹槽内。上述的像素排布结构及显示基板、掩膜版组件可以在提高显示装置显示分辨率的同时确保显示装置的显示效果,并提高显示装置及对应掩膜版的生产良率。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素排布结构及显示基板、掩膜版组件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)因具有自发光、高对比度和功耗低等优点,已被广泛应用于显示领域。
目前,较为成熟且已经量产的OLED彩色化技术是采用蒸镀工艺,利用精细金属掩模版(FMM,Fine Metal Mask)对应蒸镀各个子像素的发光材料层。然而,随着显示分辨率的不断提高,在采用OLED作为发光器件的显示装置中,各子像素的像素密度在不断增大,由于精细金属掩模版的制作难度非常大,特别是显示产品的分辨率越来越高,精细金属掩模版的开孔数量很大,制作难度越来越大,价格也十分昂贵。另外,精细金属掩模版的不良会导致有机电致发光显示器件出现混色等缺陷,而且用的精细金属掩模板越多,越容易出现产品不良,从而降低产品的良率。
发明内容
基于此,有必要提供一种像素排布结构及显示基板、掩膜版组件,以便于在提高显示装置显示分辨率的同时确保显示装置的显示效果,并提高显示装置及对应掩膜版的生产良率。
根据本公开实施例的一个方面,提供一种像素排布结构。该像素排布结构包括:多个像素组。所述像素组由第一子像素、第二子像素和第三子像素均匀分布且相互拼接构成。所述像素组的形状为规则多边形。其中,第一子像素的至少一侧边缘具有凹槽,至少部分第二子像素和至少部分第三子像素设于所述凹槽内。
本公开实施例中,通过设计第一子像素、第二子像素和第三子像素的形状,利于对具有不同发光颜色且采用相同或不同形状的多个子像素进行组合排列,以使各子像素相互拼接构成形状为规则多边形的像素组,且使第一子像素、第二子像素和第三子像素在该像素组内均匀分布。如此,方便利用像素组的规则形状来实现多个像素组的拼接,并确保各子像素在单个像素组内以及在像素排布区域内均匀分布。并且,第一子像素、第二子像素和第三子像素之间的拼接,可以通过在第一子像素的至少一侧边缘设置凹槽,并使至少部分第二子像素和至少部分第三子像素设于所述凹槽内的方式实现。这样可以在相同的像素排布区域内通过增大不同子像素之间相邻部分尺寸的方式,实现不同子像素之间对于色彩的相互补偿,以有效改善因像素排布造成的显示图像锯齿感及颗粒感现象。
由上,本公开实施例提供的像素排布结构可以应用至具有较高显示分辨率的显示装置中,以在确保显示装置具有高显示分辨率的同时减少显示装置显示色度不均的问题,消除混色现象,以提高显示装置的显示效果及生产良率。并且,本公开实施例中,每个像素组内的各子像素采用前述方式拼接,还有利于在提高显示分辨率时降低对提高像素密度的要求,从而减低用于制备高显示分辨率显示装置的掩膜版的工艺精度,以提高掩膜版的生产良率。
此外,上述实施例提供的像素排布结构尤其适用于柔性显示装置。例如,在柔性显示装置拉伸或弯折的情况下,该像素排布结构还利于确保显示装置的色度显示效果不变,即消除色偏且具有高色调保真效果。
在一些实施例中,多个所述像素组沿第一方向排布成行,沿与第一方向垂直的第二方向排布成列。
可选地,位于相邻行的所述像素组平行排列。
可选地,位于相邻行的所述像素组以行分界线为对称轴左右对称。
可选地,位于相邻行的所述像素组对应嵌合设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的