[发明专利]一种MEMS探针卡制备方法

说明书

本发明提供一种MEMS探针卡制备方法，本发明通过对所述第一光刻胶进行曝光显影以得到用于形成所述探针金属层的空间，并通过在所述空间内形成一所述金属层以得到所述探针金属层，通过对所述基板及所述金属层表面的所述第二光刻胶进行曝光显影以得到后续用于刻蚀所述基板的掩膜图案，根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀最终得到表面金属化的所述探针卡，本发明通过MEMS工艺制备仅仅采用两次掩膜即可制得间距较小的探针，使得制造成本更低，制造工艺更简单，更有利于进行批量制造和成本管控。

技术领域

本发明涉及探针制备技术领域，尤其涉及一种MEMS探针卡制备方法。

背景技术

探针是用于在对晶圆上的芯片进行电学测试时，与芯片接触实现通讯，并将测试数据反馈至测试装置进行对比，以检测该晶圆的电学特性和逻辑功能是否符合要求，通过测试将不合格的晶圆剔除，以避免将不合格的芯片进行封装，产生可避免的不良品，造成资源浪费，现有技术中，由于芯片上的焊盘之间间距越来越小，而传统的垂直探针卡上的探针与探针之间间距较大，难以满足焊盘间距越来越小的芯片的测试需求，导致间距更小的探针的制备难度大，且制备成本较高，对于高速发展的半导体技术领域来说，是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于此，有必要提供成本更低且探针之间间距更小的MEMS探针卡制备方法。

本发明提供一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡包括多个探针金属层，所述制备方法包括以下步骤：

在基板的一表面形成第一光刻胶；

对所述第一光刻胶进行曝光显影以得到多个间隔设置以便于后续用于形成探针金属层的空间；

在所述空间内形成一金属层得到所述探针金属层；

去除剩余的所述第一光刻胶；

在所述探针金属层和所述表面上形成第二光刻胶；

对所述第二光刻胶进行曝光显影以得到掩膜图案，其中，所述掩膜图案与所述探针卡结构相对应；

根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡；

去除剩余的所述第二光刻胶。

本发明还提供另一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡包括多个探针金属层，所述制备方法包括以下步骤：

在基板的一表面形成第三光刻胶；

对所述第三光刻胶进行曝光显影以得到掩膜图案，其中，所述掩膜图案与所述探针卡结构相对应；

根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到所述探针卡；

去除剩余的所述第三光刻胶；

在所述探针卡表面形成第四光刻胶；

对所述第四光刻胶进行曝光显影以得到多个间隔设置以便于后续用于形成所述探针金属层的空间；

在所述空间内形成一金属层得到所述探针金属层；

去除剩余的所述第四光刻胶以得到表面金属化的所述探针卡。

进一步的，所述基板为SOI晶圆，所述表面为所述SOI晶圆的顶硅层对应的表面，在根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡之后，所述制备方法还包括：

去除所述SOI晶圆的埋氧层，以得到所述探针卡。

进一步的，所述埋氧层采用缓冲氧化物刻蚀液去除。

进一步的，所述步骤根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡采用深反应离子刻蚀工艺去除不必要的所述顶硅层。