[发明专利]一种MEMS探针卡制备方法

权利要求书

1.一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡包括多个探针金属层，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

在基板的一表面形成第一光刻胶；

对所述第一光刻胶进行曝光显影以得到多个间隔设置以便于后续用于形成探针金属层的空间；

在所述空间内形成一金属层得到所述探针金属层；

去除剩余的所述第一光刻胶；

在所述探针金属层和所述表面上形成第二光刻胶；

对所述第二光刻胶进行曝光显影以得到掩膜图案，其中，所述掩膜图案与所述探针卡结构相对应；

根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡；

去除剩余的所述第二光刻胶。

2.一种MEMS探针卡制备方法，所述探针卡包括多个探针金属层，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

在基板的一表面形成第三光刻胶；

对所述第三光刻胶进行曝光显影以得到掩膜图案，其中，所述掩膜图案与所述探针卡结构相对应；

根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到所述探针卡；

去除剩余的所述第三光刻胶；

在所述探针卡表面形成第四光刻胶；

对所述第四光刻胶进行曝光显影以得到多个间隔设置以便于后续用于形成所述探针金属层的空间；

在所述空间内形成一金属层得到所述探针金属层；

去除剩余的所述第四光刻胶以得到表面金属化的所述探针卡。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，所述基板为SOI晶圆，所述表面为所述SOI晶圆的顶硅层对应的表面，在根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡之后，所述制备方法还包括：

去除所述SOI晶圆的埋氧层，以得到所述探针卡。

4.根据权利要求3所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，所述埋氧层采用缓冲氧化物刻蚀液去除。

5.根据权利要求3所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，所述步骤根据所述掩膜图案对所述基板进行刻蚀以得到具有所述探针金属层的所述探针卡采用深反应离子刻蚀工艺去除不必要的所述顶硅层。

6.根据权利要求5所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，所述深反应离子刻蚀工艺的刻蚀深度不少于所述顶硅层的厚度。

7.根据权利要求6所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，所述顶硅层的厚度为10μm，所述深反应离子刻蚀工艺的刻蚀深度为10.08-10.2μm。

8.根据权利要求1所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，在去除剩余的所述第一光刻胶之前，所述制备方法还包括：

去除附着在剩余的所述第一光刻胶上的所述金属层。

9.根据权利要求1所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，所述金属层为金、银、镍、铬、铑、钯中的一种，或至少其中两种形成的合金。

10.根据权利要求3所述的一种MEMS探针卡制备方法，其特征在于，在基板的一表面形成第一光刻胶之前，所述制备方法还包括：

对所述基板进行RCA标准工艺流程清洗。