[发明专利]一种低温共烧的陶瓷材料及制备方法

说明书

本申请公开了一种低温共烧的陶瓷材料及制备方法，制备方法包括：按照重量份，将a份钛酸铜钙、b份钙镁硼硅微晶玻璃和c份改性剂经球磨混匀制成陶瓷粉末，其中，45≤a≤60，40≤b≤55，0≤c≤5，且a+b+c＝100；向所述陶瓷粉末中加入粘合剂，并经成型、排胶，然后于870～900℃下进行烧结，得到所述陶瓷材料。本实施例将钛酸铜钙、钙镁硼硅微晶玻璃和改性剂组成的复合材料在870～900℃下进行烧结，烧结形成的陶瓷材料介电常数为28～34，并且介电损耗＜0.0025，制得了一种中介低损耗的钛酸铜钙基低温共烧的陶瓷材料。

技术领域

本申请涉及介电材料技术领域，具体涉及一种低温共烧的陶瓷材料及制备方法。

背景技术

随着电子器件的小型化，需要开发能够与Ag电极共烧结的中介电常数(介电常数为28～34)的介质材料。由于Ag的熔点为960.5℃，因此烧结温度通常需要控制在900℃以下。而相关技术中，陶瓷介质材料的烧结温度通常超过950℃，甚至大于1000℃，无法满足低温共烧的要求。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种低温共烧的陶瓷材料及制备方法，可以改善相关技术的中介电常数的介质材料不适合低温共烧的问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种低温共烧的陶瓷材料的制备方法，包括：

按照重量份，将a份钛酸铜钙、b份钙镁硼硅微晶玻璃和c份改性剂经球磨混匀制成陶瓷粉末，其中，45≤a≤60，40≤b≤55，0≤c≤5，且a+b+c＝100；

向所述陶瓷粉末中加入粘合剂，并经成型、排胶，然后于870～900℃下进行烧结，得到所述陶瓷材料。

可选的，所述改性剂选自Al₂O₃、TiO₂、SiO₂、Co₂O₃和Mn₃O₄中的一种或多种。

可选的，所述陶瓷粉末的平均粒度为0.5～2.0μm。

可选的，所述排胶的温度为450～500℃。

可选的，所述钙镁硼硅微晶玻璃的制备方法包括：

按照重量百分比，将40％～45％SiO₂、22％～28％CaCO₃、16％～20％MgO、4％～8％BaCO₃和10％～15％B₂O₃进行球磨混匀，然后在1200～1400℃下进行熔制，再进行淬冷，得到所述钙镁硼硅微晶玻璃。

可选的，所述制备方法包括：

按照重量百分比，将43％SiO₂、24％CaCO₃、17％MgO、6％BaCO₃和10％B₂O₃进行球磨混匀，然后在1400℃下进行熔制2小时，再进行淬冷，得到所述钙镁硼硅微晶玻璃；

按照重量百分比，将46％钛酸铜钙、50％钙镁硼硅微晶玻璃和4％Al₂O₃进行球磨混匀，制成陶瓷粉末；

向所述陶瓷粉末中加入聚乙烯醇，并经成型、500℃下排胶，然后于900℃下进行烧结，得到所述陶瓷材料。

第二方面，本申请实施例还提供一种低温共烧的陶瓷材料，按照重量份包括：a份钛酸铜钙、b份钙镁硼硅微晶玻璃和c份改性剂，其中，45≤a≤60，40≤b≤55，0≤c≤5，且a+b+c＝100。

可选的，按照重量百分比，所述钙镁硼硅微晶玻璃包括：

SiO₂ 40％～45％；