[发明专利]一种大面积钙钛矿电池及其制备方法

权利要求书

1.一种大面积钙钛矿电池，包括自下而上依次设置的透明基底层（1）、TCO复合层、第一传输层（4）、钙钛矿光吸收层（5）、第二传输层（6）、导电电极层（7），其特征在于：所述透明基底层（1）与TCO复合层之间设有超薄导电层（2），所述超薄导电层（2）沉积在透明基底层（1）靠近TCO复合层的一面，TCO复合层包括场钝化致密层（30）和TCO层（31），TCO层（31）与场钝化致密层（30）交替沉积在超薄导电层（2）上。

2.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述透明基底层（1）为玻璃、PET、PEN、PEI、PMMA中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述场钝化致密层（30）为氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化锌、氧化镍、氧化镁、氧化铜中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述场钝化致密层（30）与超薄导电层（2）为N型半导体、P型半导体或导体。

5.根据权利要求4所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述超薄导电层（2）为金属或碳电极。

6.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述TCO层（31）为FTO氟掺氧化锡玻璃、ITO铟掺氧化锡玻璃、AZO铝掺氧化锌玻璃、ATO铝掺氧化锡玻璃、IGO铟掺氧化鎵玻璃中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述第一传输层（4）为N型半导体。

8.根据权利要求7所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述第一传输层（4）为SnO2、TiO2、ZnSnO4、C60、PCBM中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述第一传输层（4）为P型半导体。

10.根据权利要求9所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述第一传输层（4）为Spiro-oMeTad、NiOx、CuSCN、CuPc、PTAA中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述钙钛矿光吸收层（5）为ABX3型的钙钛矿材料。

12.根据权利要求11所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述ABX3型中的A为Cs+、CH(NH2)2+、CH3NH3+、C(NH2)3+中的至少一种，所述ABX3型中的B为Pb2+、Sn2+中的至少一种，所述ABX3型中的X为Br-、I-、Cl-中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述第二传输层（6）为N型半导体。

14.根据权利要求13所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述第二传输层（6）为SnO2、TiO2、ZnSnO4、C60、PCBM中的至少一种。

15.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述第二传输层（6）为P型半导体。

16.根据权利要求15所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述第二传输层（6）为Spiro-oMeTad、NiOx、CuSCN、CuPc、PTAA中的至少一种。

17.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿电池，其特征在于：所述导电电极层（7）为FTO氟掺氧化锡、ITO铟掺氧化锡、AZO铝掺氧化锌、ATO铝掺氧化锡、IGO铟掺氧化鎵、Ag、Cu、Al或Au。