[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，

第一晶体管，形成在所述基底上；

第二晶体管，形成在所述第一晶体管的上方，所述第二晶体管与所述第一晶体管的导电类型相反；所述第二晶体管和所述第一晶体管中的至少一者为环栅晶体管或鳍式场效应晶体管；所述第二晶体管包括的第二源区和第二漏区均至少部分形成在所述第一晶体管包括的第一沟道的上方；

以及牺牲隔离层，形成在所述第一沟道与所述第二源区、以及所述第一沟道和所述第二漏区之间；沿着所述第一沟道的长度方向，所述牺牲隔离层位于第一沟道上方的部分与所述第一沟道的边缘区域对齐。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管包括的第一沟道与所述第二晶体管包括的第二沟道的材质不同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二源区和所述第二漏区中的一者还形成在所述第一晶体管包括的第一源区的上方，所述第二源区和所述第二漏区中的另一者还形成在所述第一晶体管包括的第一漏区的上方；

所述半导体器件还包括外延隔离层，所述外延隔离层覆盖在所述第一源区背离所述基底的表面、以及覆盖在所述第一漏区背离所述基底的表面。

4.根据权利要求1～3任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一晶体管为环栅晶体管的情况下，所述牺牲隔离层还形成在所述基底与所述第一晶体管之间；所述牺牲隔离层形成在所述第一晶体管下方的部分位于所述第一晶体管包括的第一栅堆叠沿长度方向的两侧。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟道包括至少两层纳米线或片；所述第一晶体管包括的第一源区和第一漏区均包括至少两层源/漏层，同一层的两个所述源/漏层形成在相应所述纳米线或片沿长度方向的两侧；

所述牺牲隔离层还形成在相邻两层所述源/漏层之间、以及任一层所述纳米线或片沿长度方向的边缘区域与相邻层所述纳米线或片沿长度方向的边缘区域之间。

6.根据权利要求1～3任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一晶体管和所述第二晶体管均为鳍式场效应晶体管的情况下，所述牺牲隔离层还形成在所述第一沟道与所述第二晶体管包括的第二沟道之间。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成第一晶体管、第二晶体管和牺牲隔离层；所述第二晶体管形成在所述第一晶体管的上方，所述第二晶体管与所述第一晶体管的导电类型相反；所述第二晶体管和所述第一晶体管中的至少一者为环栅晶体管或鳍式场效应晶体管；所述第二晶体管包括的第二源区和第二漏区均至少部分形成在所述第一晶体管包括的第一沟道的上方；所述牺牲隔离层形成在所述第一沟道与所述第二源区、以及所述第一沟道和所述第二漏区之间；沿着所述第一沟道的长度方向，所述牺牲隔离层位于第一沟道上方的部分与所述第一沟道的边缘区域对齐。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述提供一基底后，所述在所述基底上形成第一晶体管、第二晶体管和牺牲隔离层前，所述半导体器件的制造方法还包括：

在所述基底上形成鳍状结构；沿着所述基底的厚度方向，所述鳍状结构包括交替层叠的沟道层和牺牲层，所述鳍状结构中位于顶层的膜层为所述沟道层；

对所述牺牲层进行绝缘处理，以形成牺牲隔离材料层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，沿着所述基底的厚度方向，所述鳍状结构具有第一鳍部、以及位于所述第一鳍部上的第二鳍部；所述第一鳍部和所述第二鳍部均包括至少一层所述沟道层；

沿着所述鳍状结构的长度方向，所述第一鳍部和所述第二鳍部均具有第一半导体区、第二半导体区、以及位于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的沟道形成区；所述第一鳍部具有的沟道形成区的长度大于所述第二鳍部具有的沟道形成区的长度。