[发明专利]半导体器件及其检测方法、制作方法、存储系统

说明书

本发明实施例公开了一种半导体器件及其检测方法、制作方法、存储系统。所述半导体器件包括核心区和非核心区，所述半导体器件包括结晶层，所述结晶层的非核心区具有检测部；所述方法包括：检测所述检测部的光学参数；将所述检测部的光学参数与预设的标准光学参数进行对比；根据对比结果检测所述核心区的结晶层的结晶程度。本发明实施例无需损坏半导体器件，且提高检测效率，降低检测成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其检测方法、制作方法、存储系统。

背景技术

半导体器件中多晶硅层的结晶程度的检测方法主要为对多晶硅层进行切片，分析结晶的深度和晶粒尺寸，然后对多晶硅层进行电性测试，根据测试结果判断多晶硅层的结晶程度。但是，切片会对半导体器件造成不可逆转的破坏性损伤，而电性测试的反馈周期长，检测成本高。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体器件及其检测方法、制作方法、存储系统，无需损坏半导体器件，且提高检测效率，降低检测成本。

本发明实施例提供了一种半导体器件的检测方法，所述半导体器件包括核心区和非核心区，所述半导体器件包括结晶层，所述结晶层的非核心区具有检测部；

所述方法包括：

检测所述检测部的光学参数；

将所述检测部的光学参数与预设的标准光学参数进行对比；

根据对比结果检测所述核心区的结晶层的结晶程度。

进一步地，所述半导体器件还包括堆叠结构和基底；

所述基底位于所述堆叠结构的一侧，并覆盖所述非核心区的堆叠结构，所述结晶层位于所述基底背离所述堆叠结构的一侧，并覆盖所述基底和所述核心区的堆叠结构，所述结晶层的检测部贯穿所述基底。

进一步地，所述方法还包括：

设置所述标准光学参数；所述标准光学参数为多个结晶测试层中满足预设电学性能的目标结晶测试层的光学参数，所述多个结晶测试层通过多个能量的激光一一对应地照射而形成。

进一步地，所述根据对比结果检测所述核心区的结晶层的结晶程度的步骤，包括：

若所述对比结果为所述检测部的光学参数大于所述标准光学参数，则确定所述核心区的结晶层的结晶程度不满足预设结晶要求；

若所述对比结果为所述检测部的光学参数小于或等于所述标准光学参数，则确定所述核心区的结晶层的结晶程度满足预设结晶要求。

进一步地，所述结晶层通过预设的标准能量的激光照射而形成；

所述方法还包括：

根据所述对比结果检测所述激光的能量是否稳定。

进一步地，所述根据所述对比结果检测所述激光的能量是否稳定的步骤，包括：

若所述对比结果为所述检测部的光学参数与所述标准光学参数相一致，则确定所述激光的能量稳定；

若所述对比结果为所述检测部的光学参数与所述标准光学参数不一致，则确定所述激光的能量不稳定。

进一步地，所述非核心区包括非功能区，所述检测部位于所述非功能区。

进一步地，所述光学参数包括折射率和消光系数中的至少一个。

进一步地，所述结晶层为多晶硅层。

进一步地，所述半导体器件为存储器。

相应地，本发明实施例还提供了一种半导体器件的检测装置，所述半导体器件包括核心区和非核心区，所述半导体器件包括结晶层，所述结晶层的非核心区具有检测部；