[发明专利]半导体器件及其检测方法、制作方法、存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件的检测方法，其特征在于，所述半导体器件包括核心区和非核心区，所述半导体器件包括结晶层，所述结晶层的非核心区具有检测部；

所述方法包括：

检测所述检测部的光学参数；

将所述检测部的光学参数与预设的标准光学参数进行对比；

根据对比结果检测所述核心区的结晶层的结晶程度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述半导体器件还包括堆叠结构和基底；

所述基底位于所述堆叠结构的一侧，并覆盖所述非核心区的堆叠结构，所述结晶层位于所述基底背离所述堆叠结构的一侧，并覆盖所述基底和所述核心区的堆叠结构，所述检测部贯穿所述基底。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

设置所述标准光学参数；所述标准光学参数为多个结晶测试层中满足预设电学性能的目标结晶测试层的光学参数，所述多个结晶测试层通过多个能量的激光一一对应地照射而形成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述根据对比结果检测所述核心区的结晶层的结晶程度的步骤，包括：

若所述对比结果为所述检测部的光学参数大于所述标准光学参数，则确定所述核心区的结晶层的结晶程度不满足预设结晶要求；

若所述对比结果为所述检测部的光学参数小于或等于所述标准光学参数，则确定所述核心区的结晶层的结晶程度满足预设结晶要求。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述结晶层通过预设的标准能量的激光照射而形成；

所述方法还包括：

根据所述对比结果检测所述激光的能量是否稳定。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述根据所述对比结果检测所述激光的能量是否稳定的步骤，包括：

若所述对比结果为所述检测部的光学参数与所述标准光学参数相一致，则确定所述激光的能量稳定；

若所述对比结果为所述检测部的光学参数与所述标准光学参数不一致，则确定所述激光的能量不稳定。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述非核心区包括非功能区，所述检测部位于所述非功能区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述光学参数包括折射率和消光系数中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述结晶层为多晶硅层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，所述半导体器件为存储器。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括核心区和非核心区；

所述半导体器件包括：

结晶层，所述结晶层的非核心区具有检测部，所述检测部的厚度与所述核心区的结晶层的厚度相同。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

堆叠结构；

基底，所述基底位于所述堆叠结构的一侧，并覆盖所述非核心区的堆叠结构；

所述结晶层位于所述基底背离所述堆叠结构的一侧，并覆盖所述基底和所述核心区的堆叠结构，所述检测部贯穿所述基底。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述结晶层为多晶硅层。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述非核心区包括台阶区以及位于所述台阶区背离所述核心区的非功能区，所述检测部位于所述非功能区。