[发明专利]具有金属掺杂的封盖层的磁记录介质

权利要求书

1.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：

基板；

磁记录层(MRL)，所述MRL位于所述基板上；和

封盖层，所述封盖层位于所述MRL上，所述封盖层包括Co，

其中所述封盖层掺杂有Ru，所述Ru在1原子百分比至5原子百分比的范围内，包括端值。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述封盖层的表面粗糙度小于4埃

3.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中所述封盖层的所述表面粗糙度小于

4.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中所述封盖层的厚度在至的范围内，包括端值。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述封盖层的所述Ru被配置为与不具有Ru的封盖层相比减少了所述封盖层的横向交换耦合。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述封盖层还包括Pt和X，其中X选自由Cr、B及其组合组成的群组。

7.根据权利要求6所述的磁记录介质，其中所述封盖层的所述Co为60原子百分比或更大。

8.根据权利要求7所述的磁记录介质，其中所述封盖层的所述Ru在2原子百分比至4原子百分比的范围内，包括端值。

9.根据权利要求8所述的磁记录介质，其中所述封盖层的所述Ru为约3原子百分比。

10.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述磁记录介质的磁矩在500emu/cc至800emu/cc的范围内，包括端值。

11.一种数据存储设备，所述数据存储设备包括：

滑块，所述滑块包括磁头；和

根据权利要求1所述的磁记录介质，

其中所述滑块被配置为将信息写入所述磁记录介质的所述磁记录层。

12.一种用于制造磁记录介质的方法，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板上提供磁记录层(MRL)；以及

在所述MRL上提供封盖层，所述封盖层包括Co，其中所述封盖层掺杂有Ru，所述Ru在1原子百分比至5原子百分比的范围内，包括端值。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：

减小所述封盖层的粗糙度以使得所述封盖层的表面粗糙度小于4埃

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述减小所述粗糙度包括：

使用非反应性气体蚀刻所述封盖层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述非反应性气体选自由Ar、Kr、Xe及其组合组成的群组。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述封盖层的所述表面粗糙度小于

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述封盖层的厚度在至的范围内，包括端值。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述封盖层的所述Ru被配置为与不具有Ru的封盖层相比减少了所述封盖层的横向交换耦合。

19.根据权利要求12所述的方法，其中所述封盖层还包括Pt和X，其中X选自由Cr、B及其组合组成的群组。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述封盖层的所述Co为60原子百分比或更大。