[发明专利]薄膜生长装置、方法及二氧化钒薄膜生长方法

权利要求书

1.一种薄膜生长装置，其特征在于，所述薄膜生长装置包括溶液脉冲喷雾台、散热旋转台、载物旋转盘、石英管以及管式炉；

所述溶液脉冲喷雾台包括相互固定连接的直角喷雾脉冲控制架和纳米喷雾器；所述纳米喷雾器的喷嘴垂直于所述载物旋转盘；所述载物旋转盘与所述散热旋转台连接，所述散热旋转台旋转，带动所述载物旋转盘运动；所述载物旋转盘上设有多个载物槽；

所述石英管上设有第一侧开槽，所述管式炉上设有第二侧开槽；所述石英管穿设于所述管式炉中，所述第一侧开槽与所述第二侧开槽匹配；所述载物旋转盘上的至少一个所述载物槽位于所述第一侧开槽内。

2.一种如权利要求1所述的薄膜生长装置，其特征在于，所述纳米喷雾器为电动纳米喷雾器；所述散热旋转台可通过电动控制调节转速。

3.一种如权利要求1所述的薄膜生长装置，其特征在于，所述散热旋转台包括紫铜旋转柱和风扇；所述载物旋转盘与所述紫铜旋转柱连接。

4.一种如权利要求3所述的薄膜生长装置，其特征在于，所述紫铜旋转柱的中部设有多层紫铜圆盘。

5.一种薄膜生长方法，其特征在于，所述薄膜生长方法采用如权利要求1～4中任意一项所述的薄膜生长装置。

6.一种如权利要求5所述的薄膜生长方法，其特征在于，所述薄膜生长方法包括步骤：

S1、将原料溶液加入所述纳米喷雾器内，将衬底置于所述载物槽中；启动脉冲喷雾模式，同时，启动所述散热旋转台；同步控制所述纳米喷雾器与所述散热旋转台；

S2、将所述管式炉的温度升至目标温度，并向置于所述管式炉中的所述石英管中通入氧气；

S3、通过所述纳米喷雾器完成一片置于所述载物槽中的所述衬底的第一次喷雾后，所述散热旋转台每次旋转固定角度，经过多次旋转，完成第一次喷雾的所述载物槽旋转至所述管式炉中，薄膜开始生长，得到所述薄膜。

7.一种二氧化钒薄膜生长方法，其特征在于，所述二氧化钒薄膜生长方法采用如权利要求1～4中任意一项所述的薄膜生长装置。

8.一种如权利要求7所述的二氧化钒薄膜生长方法，其特征在于，所述二氧化钒薄膜生长方法包括步骤：

S1、将原料溶液加入所述纳米喷雾器内，将衬底置于所述载物槽中；启动脉冲喷雾模式，同时，启动所述散热旋转台；同步控制所述纳米喷雾器与所述散热旋转台；

S2、将所述管式炉的温度升至350℃～600℃，并向置于所述管式炉中的所述石英管中通入氧气；

S3、通过所述纳米喷雾器完成一片置于所述载物槽中的所述衬底的第一次喷雾后，所述散热旋转台每次旋转固定角度，经过多次旋转，完成第一次喷雾的所述载物槽旋转至所述管式炉中，薄膜开始生长，得到所述二氧化钒薄膜。

9.一种如权利要求8所述的二氧化钒薄膜生长方法，其特征在于，所述二氧化钒薄膜生长方法还包括步骤：所述散热旋转台旋转360度后，经过所述第一次喷雾后的所述衬底再进行第二次喷雾，经多次循环后，得到多个所述二氧化钒薄膜。

10.一种如权利要求8所述的二氧化钒薄膜生长方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅片或者石英。