[发明专利]一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其是一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，现提出如下方案，包括以下步骤：S1基板膜层制备；准备基板膜层的板材和载板，在板材上制作金属线路，并将基板膜层的板材固定在载板上；S2基板膜层镂空，确定基板膜层上的镂空位点，并将上一层基板膜层的镂空位点作为下层基板膜层上LED的对位位点；S3确定基板膜层的载板的安装位点，用于承载LED；S4LED转移，将LED转移至基板膜层的镂空位点，并与载板的安装位点连接。本发明实现同色LED批量转移，极大提升转移效率；方便后续对完成好的单色LED模块进行对组操作，简化电路设计，提高生产效率，同时实现MiniLED和MicroLED的柔性显示。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术。

背景技术

目前市面上LED的转移技术都是一颗一颗或者局部一块一块转移；这样效率很慢，也没办法做重复设计；而且MicroLED显示是三种RGB色彩，这样给转移增加了更多的难度；业界诞生出至少三种精准抓取(FinePick/Place)的技术：静电力、凡德瓦力和磁力、选择性释放(SelectiveRelease)、自组装(Self-Assembly)及转印(RollPrinting)；但对于基板基本都是一种，布线也是在一块基板上实现，这样导致的结果就是三种RGB色彩的LED芯片，需要选择性的植入；而且基板的布线都是多层的，生产和修复效率及其低下，为此需要一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术。

发明内容

本发明提出的一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，解决了现有技术中存在的问题。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，包括以下步骤：

S1基板膜层制备；

准备基板膜层的板材和载板，在板材上制作金属线路，并将基板膜层的板材固定在载板上；

S2基板膜层镂空，确定基板膜层上的镂空位点，并将上一层基板膜层的镂空位点作为下层基板膜层上LED的对位位点；

S3确定基板膜层的载板的安装位点，用于承载LED；

S4LED转移，将LED转移至基板膜层的镂空位点，并与载板的安装位点连接。

优选的，所述基板膜层的层数依次为J1层、J2层···JN层，其中N≥3。

优选的，所述安装位点确立时：

单独确立J1和JN层的安装位点；

JN层的安装位点与JN-1层的镂空位点对应；

JN-1层的安装位点与JN-2层与JN-1层新增的镂空位点对应；

按照上述方式逐层确定JN-2层至J2层的安装位点。

优选的，所述镂空位点确立时：

J1层的镂空位点为J2层至JN层的总LED安装位点；

J2层的镂空位点为J3层至JN层的总LED安装位点；

后续按照此方式依次设置J3层至JN-1层的镂空位点。

优选的，所述板材上的金属线路为1-2层。

优选的，所述LED转移时，将单色LED逐层转移至基板膜层的镂空位点。

优选的，所述基板膜层上的镂空位点采用激光、光刻腐蚀和或切割方式成型，且镂空为自由形状。

优选的，同一所述基板膜层上的LED为同一颜色，且不限定颜色类型。