[发明专利]一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术在审
| 申请号： | 202210576790.2 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114927437A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 阙祥灯 | 申请（专利权）人： | 星源电子科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L25/075;G09F9/33 |
| 代理公司： | 合肥信诚兆佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34159 | 代理人： | 邓勇 |
| 地址： | 518132 广东省深圳市光明区玉塘街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 miniled microled 巨量 转移 技术 | ||
1.一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，其特征在于，包括以下步骤：
S1基板膜层制备；
准备基板膜层的板材和载板，在板材上制作金属线路，并将基板膜层的板材固定在载板上；
S2基板膜层镂空，确定基板膜层上的镂空位点，并将上一层基板膜层的镂空位点作为下层基板膜层上LED的对位位点；
S3确定基板膜层的载板的安装位点，用于承载LED；
S4LED转移，将LED转移至基板膜层的镂空位点，并与载板的安装位点连接。
2.根据权利要求1所述的一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，其特征在于，所述基板膜层的层数依次为J1层、J2层···JN层，其中N≥3。
3.根据权利要求1-2任一项所述的一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，其特征在于，所述安装位点确立时：
单独确立J1和JN层的安装位点；
JN层的安装位点与JN-1层的镂空位点对应；
JN-1层的安装位点与JN-2层与JN-1层新增的镂空位点对应；
按照上述方式逐层确定JN-2层至J2层的安装位点。
4.根据权利要求1-2任一项所述的一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，其特征在于，所述镂空位点确立时：
J1层的镂空位点为J2层至JN层的总LED安装位点；
J2层的镂空位点为J3层至JN层的总LED安装位点；
后续按照此方式依次设置J3层至JN-1层的镂空位点。
5.根据权利要求1所述的一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，其特征在于，所述板材上的金属线路为1-2层。
6.根据权利要求1所述的一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，其特征在于，所述LED转移时，将单色LED逐层转移至基板膜层的镂空位点。
7.根据权利要求1所述的一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，其特征在于，所述基板膜层上的镂空位点采用激光、光刻腐蚀和或切割方式成型，且镂空为自由形状。
8.根据权利要求1所述的一种MiniLED和MicroLED的巨量转移技术，其特征在于，同一所述基板膜层上的LED为同一颜色，且不限定颜色类型。
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