[发明专利]基板处理装置及利用其的基板处理方法

说明书

本发明提供在更低的压力条件下执行工艺以确保稳定性的基板处理装置及利用其的基板处理方法。所述基板处理装置包括：腔室，残留有冲洗液的基板被搬入所述腔室，且所述腔室包括壳体和处理区域；供应端口，设置于所述壳体，并且向所述处理区域供应第一干燥气体和第二干燥气体；第一供应线，与所述供应端口连接，且所述第一干燥气体在所述第一供应线中移动；以及第二供应线，与所述供应端口连接，且所述第二干燥气体在所述第二供应线中移动，其中，所述第一干燥气体是温度低于第一温度的气体，且所述第二干燥气体是温度为所述第一温度以上的气体，以及所述第二干燥气体对残留在所述基板上的所述冲洗液进行干燥。

技术领域

本发明涉及基板处理装置及利用其的基板处理方法。

背景技术

随着半导体元件的高密度化、高集成化和高性能化，电路图案的微细化正在迅速发展，因此，残留在基板表面的微粒(particle)、有机污染物、金属污染物等污染物会对元件的特性和生产率产生很大的影响。因此，在制造半导体元件的工艺中，去除附着在基板表面的各种污染物的清洗工艺变得非常重要，且在制造半导体元件的各个单位工艺的前后步骤中执行对基板进行清洗处理的清洗工艺。

近来，正在使用利用超临界流体来对基板进行干燥的超临界干燥工艺。由于超临界干燥工艺在高压和高温条件下进行，所以可能在稳定性方面比较脆弱。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供在相对低的压力条件下执行工艺以确保稳定性的基板处理装置及利用其的基板处理方法。

本发明的技术问题不限于上述目的，本领域的普通技术人员可以通过下面的记载清楚地理解未提及的其它技术问题。

用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的一方面(aspect)包括：腔室，残留有冲洗液的基板被搬入所述腔室，且所述腔室包括壳体和处理区域；供应端口，设置于所述壳体，并且向所述处理区域供应第一干燥气体和第二干燥气体；第一供应线，与所述供应端口连接，且所述第一干燥气体在所述第一供应线中移动；以及第二供应线，与所述供应端口连接，且所述第二干燥气体在所述第二供应线中移动，其中，所述第一干燥气体是温度低于第一温度的气体，且所述第二干燥气体是温度为所述第一温度以上的气体，以及所述第二干燥气体对残留在所述基板上的所述冲洗液进行干燥。

当所述处理区域内的压力低于预设压力时，向所述处理区域供应所述第一干燥气体，以及当所述处理区域内的压力是所述预设压力以上时，向所述处理区域供应所述第二干燥气体。

所述预设压力是10bar以上且40bar以下。

所述第一干燥气体不对所述冲洗液进行干燥。

所述第一温度是150℃以上且250℃以下。

所述冲洗液与所述第一干燥气体之间的表面张力大于5dyn/cm，以及所述冲洗液与所述第二干燥气体之间的表面张力是5dyn/cm以下。

所述供应端口包括与所述第一供应线连接的第一供应端口和与所述第二供应线连接的第二供应端口，所述第一干燥气体通过所述第一供应端口供应到所述处理区域，以及所述第二干燥气体通过所述第二供应端口供应到所述处理区域。

所述基板处理装置还包括：存储部，与所述第一供应线和所述第二供应线连接；以及加热部件，设置于所述第二供应线以使所述第二干燥气体的温度上升。

所述存储部包括：第一存储部，与所述第一供应线连接，并且存储所述第一干燥气体；以及第二存储部，与所述第二供应线连接，并且存储所述第二干燥气体。