[发明专利]基板处理装置及利用其的基板处理方法在审
申请号: | 202210563549.6 | 申请日: | 2022-05-23 |
公开(公告)号: | CN115775750A | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 李在晟;高定奭;崔海圆 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 利用 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
腔室,残留有冲洗液的基板被搬入所述腔室,且所述腔室包括壳体和处理区域;
供应端口,设置于所述壳体,并且向所述处理区域供应第一干燥气体和第二干燥气体;
第一供应线,与所述供应端口连接,且所述第一干燥气体在所述第一供应线中移动;以及
第二供应线,与所述供应端口连接,且所述第二干燥气体在所述第二供应线中移动,
其中,所述第一干燥气体是温度低于第一温度的气体,且所述第二干燥气体是温度为所述第一温度以上的气体,以及
所述第二干燥气体对残留在所述基板上的所述冲洗液进行干燥。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
当所述处理区域内的压力低于预设压力时,向所述处理区域供应所述第一干燥气体,以及
当所述处理区域内的压力是所述预设压力以上时,向所述处理区域供应所述第二干燥气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述预设压力是10bar以上且40bar以下。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述第一干燥气体不对所述冲洗液进行干燥。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述第一温度是150℃以上且250℃以下。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述冲洗液与所述第一干燥气体之间的表面张力大于5dyn/cm,以及
所述冲洗液与所述第二干燥气体之间的表面张力是5dyn/cm以下。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述供应端口包括与所述第一供应线连接的第一供应端口和与所述第二供应线连接的第二供应端口,
所述第一干燥气体通过所述第一供应端口供应到所述处理区域,以及
所述第二干燥气体通过所述第二供应端口供应到所述处理区域。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,还包括:
存储部,与所述第一供应线和所述第二供应线连接;以及
加热部件,设置于所述第二供应线以使所述第二干燥气体的温度上升。
9.一种基板处理装置,包括:
腔室,残留有冲洗液的基板被搬入所述腔室,且所述腔室包括壳体和处理区域;
供应端口,设置于所述壳体,并且向所述处理区域供应气态的第一干燥气体和第二干燥气体;
第一供应线,与所述供应端口连接,且所述第一干燥气体在所述第一供应线中移动;以及
第二供应线,与所述供应端口连接,且所述第二干燥气体在所述第二供应线中移动,
其中,所述冲洗液与所述第一干燥气体之间的表面张力大于5dyn/cm,且所述冲洗液与所述第二干燥气体之间的表面张力小于5dyn/cm。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置供应所述第一干燥气体直到所述处理区域内的压力达到预设压力,以及
当所述处理区域内的压力达到所述预设压力时,所述基板处理装置供应所述第二干燥气体。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
所述预设压力是10bar以上且40bar以下。
12.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置利用所述第二干燥气体来对涂布在所述基板上的所述冲洗液进行干燥。
13.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,
所述第一干燥气体是温度低于第一温度的CO2气体,以及
所述第二干燥气体温度高于所述第一温度的CO2气体。
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