[发明专利]一种发光二极管封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210562314.5 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN114744104A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 陈文娟;李雍;瞿澄;周良军 申请(专利权)人: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构的制造方法,其包括:

(1)提供第一衬底,所述第一衬底包括相对的第一侧面和第二侧面,所述第一侧面与所述第一衬底的上表面的夹角为锐角α,所述第二侧面与所述第一衬底的上表面的夹角为钝角β,其中,α+β=180°;

(2)在所述第一衬底的上表面注塑形成反光杯结构,所述反光杯结构包括露出所述第一衬底的上表面的多个空腔;

(3)在同一步骤中形成第一反光层和第二反光层,其中,所述第一反光层覆盖所述反光杯的顶面和侧表面,所述第二反光层覆盖所述第二侧面;

(4)在所述多个空腔内安装多个LED芯片,并在所述多个空腔内填充树脂材料形成封装层,至此形成具有倾斜侧面的板上芯片封装结构;

(5)将至少两个板上芯片封装结构安装于第二衬底的上表面,其中,至少两个板上芯片封装结构包括相邻设置的第一板上芯片封装结构和第二板上芯片封装结构,所述第一板上芯片封装结构的所述第二侧面与所述第二板上芯片封装结构的所述第一侧面相邻设置,以使得所述第一板上芯片封装结构的所述第二侧面与所述第二板上芯片封装结构的所述第一侧面之间形成一间隙。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:其中,30°≤α≤50°。

3.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述封装层形成为多个凸起形状。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:其中,俯视观察时,所述第二板上芯片封装结构的所述第一侧面的投影至少一部分落在所述第一板上芯片封装结构的所述第二侧面上。

5.一种发光二极管封装结构,其根据权利要求1-4任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法形成。

6.一种发光二极管封装结构的制造方法,其包括:

(1)提供第一衬底,所述第一衬底包括相对的第一侧面和第二侧面,所述第一侧面包括一凹入部,所述凹入部的高度为H1,宽度为L1,所述第二侧面具有一突出部,所述突出部的高度为H2,宽度为L2,其中,L2大于L1;

(2)在所述第一衬底的上表面注塑形成反光杯结构,所述反光杯结构包括露出所述第一衬底的上表面的多个空腔;

(3)在同一步骤中形成第一反光层和第二反光层,其中,所述第一反光层覆盖所述反光杯的顶面和侧表面,所述第二反光层覆盖所述突出部的上表面;

(4)在所述多个空腔内安装多个LED芯片,并在所述多个空腔内填充树脂材料形成封装层,至此形成具有突出部的板上芯片封装结构;

(5)将至少两个板上芯片封装结构安装于第二衬底的上表面,其中,至少两个板上芯片封装结构包括相邻设置的第一板上芯片封装结构和第二板上芯片封装结构,所述第一板上芯片封装结构的所述突出部插入于所述第二板上芯片封装结构的所述凹入部,以使得所述第一板上芯片封装结构的所述第二侧面与所述第二板上芯片封装结构的所述第一侧面之间形成一间隙。

7.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:其中,H1>H2。

8.根据权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述封装层形成为多个凸起形状。

9.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:其中,俯视观察时,所述第一板上芯片封装结构的所述突出部上表面的第二反光层从所述间隙外露。

10.一种发光二极管封装结构,其根据权利要求6-9任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法形成。

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