[发明专利]铁电薄膜的制备方法及铁电薄膜

权利要求书

1.一种铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

将衬底置于均匀电场中；

于所述衬底上依次沉积第一铁电薄膜、介电层及第二铁电薄膜层。

2.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底的热膨胀系数为5*10e^-6～5*10e^-5。

3.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述电场包括：直流电场。

4.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述电场包括：交流电场。

5.根据权利要求4所述的铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述交流电场的波形为：正弦波、方形波、三角波或锯齿波。

6.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述介电层的热膨胀系数为5*10e^-6～5*10e^-5。

7.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述于所述衬底上依次沉积第一铁电薄膜、介电层及第二铁电薄膜层之后，所述铁电薄膜的制备方法还包括：

进行300度～600度的原位退火，得到铁电薄膜。

8.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述将衬底置于均匀电场中之前，所述铁电薄膜的制备方法还包括：

对所述衬底的环境抽真空，真空度为0.1-0.2torr。

9.根据权利要求1所述的铁电薄膜的制备方法，其特征在于，

将所述衬底的环境加热至预设值，所述预设值在100-300℃范围内。

10.一种铁电薄膜，其特征在于，利用权利要求1-9任一项所述的铁电薄膜的制备方法制备得到的。